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硅的深度反应离子刻蚀切割可行性研究

评估了使用深反应离子刻蚀工艺来进行晶圆的切割,用于替代传统的刀片机械切割方式。结果表明,使用深反应离子刻蚀工艺,晶圆划片  (本文共4页) 阅读全文>>

《微电子学》1940年60期
微电子学

二氧化硅反应离子刻蚀中氟的作用

二氧化硅反应离子刻蚀中氟的作用=Roleoffluorineinreactiveionetchingo...  (本文共1页) 阅读全文>>

《真空科学与技术》1988年03期
真空科学与技术

反应离子刻蚀的机理及其实验研究方法

反应离子刻蚀业已成为制造集成电路的一项重要技术。本文扼要地论述四类干法刻蚀的机理:物理刻蚀,化学刻蚀,化学-物理刻蚀及光化学刻蚀。文中较详细地给出Si,SiO_2、Si_3N_4、Al、和Ⅲ-V族半导体化合物的反...  (本文共8页) 阅读全文>>

《微电子学与计算机》1989年06期
微电子学与计算机

自动送片式反应离子刻蚀机

随着VLSI技术的发展,集成密度不断提高,器件图形特征尺寸愈来愈小。传统的湿法化学腐蚀已不能适应微细线条腐蚀的需要。反应离子刻蚀是一种离子辅助等子技术,它兼有离子刻蚀的高分辨率和等离子化学腐蚀的高腐...  (本文共1页) 阅读全文>>

《压电与声光》1982年05期
压电与声光

反应离子刻蚀技术

本文综述了反应离子刻蚀技术的概况,引用了文献71篇。对反应离子刻蚀的机理作了简单介绍,并对刻蚀的方向性、选择性、均...  (本文共10页) 阅读全文>>

燕山大学
燕山大学

反应离子刻蚀机自动控制系统设计

当今在移动互联网、云计算、大数据、物联网等新兴应用领域的带动下,全球半导体产业呈现持续增长的势头。随着半导体工艺中新材料、新结构的提出及特征尺寸的精细化要求也同时让半导体设备制造面临着新的技术挑战。半导体设备成本较大,给我国的半导体工业化进程造成了一部分成本压力,其中面向科学研究的应用型半导体设备也在朝着小型化和嵌入式化方向靠近。反应离子刻蚀设备是极大规模集成电路制造的几大关键设备之一,反应离子刻蚀设备在科学研究中发挥着不可或缺的作用。反应离子刻蚀原理是,当在平板电极之间施加10~100MHz的高频电压时会产生数百微米厚的离子层,在其中放入试样,离子高速撞击试样而完成反应蚀刻。本文基于刻蚀原理,进行了反应离子刻蚀机的搭建工作,完成了设备电气控制电路及控制软件的编写,进行了反应离子刻蚀的相关实验。同时也实践研究了基于嵌入式的低成本控制系统在小型反应离子刻蚀机当中的应用。本文基于反应离子刻蚀机理,前期进行了设备控制系统的搭建工作。基...  (本文共77页) 本文目录 | 阅读全文>>