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低温生长SiC薄膜衬底碳化研究

讨论了在用热丝化学汽相沉积(HFCVD)法沿Si(111)晶面异质生长SiC薄膜的过程中衬底碳化工艺对SiC成膜的影响。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射谱(XRD)、透射电  (本文共3页) 阅读全文>>

《半导体信息》2008年01期
半导体信息

降低InP衬底成本的新工艺

据《Compound Semiconductor》2007年第11/12期报道,Aonex Technolo-gies、加州理工学院...  (本文共1页) 阅读全文>>

《幼儿教育》1991年09期
幼儿教育

什物插的制作

这里向你介绍一种简单的什物插。这种什物插可代替什物柜的功能,幼儿每天带来的一...  (本文共1页) 阅读全文>>

《信息系统工程》2018年07期
信息系统工程

白光LED芯片衬底的对比研究

通过介绍LED外延生长工艺,对比外延材料和蓝宝石衬底材料的特性,总结蓝宝石衬底的优缺点,得出蓝宝石衬底具有晶格匹配性较好,工艺成熟、产品质量优,透光性极高,出光效率高等优点。同时存在热导率较低,电导性差,折射率高导致内部光损达,LED整体出光效率低等缺点。通过阐述图形化衬底的原理,很好的论述了图形化蓝宝石最大的优点,通过图形的光学原理降低在蓝宝石衬底中的光损耗,大大提高了芯片的光有效利用率。针...  (本文共3页) 阅读全文>>

《材料导报》2016年02期
材料导报

不锈钢衬底两面同时液相电沉积类金刚石薄膜及其沉积机理研究

为了利用液相电沉积技术实现在金属衬底表面全方位电沉积类金刚石(DLC)薄膜,采用不同尺度的不锈钢片作为衬底,在表面电沉积了DLC薄膜,利用X射线光电子能谱、Raman光谱和扫描电子显微镜分别对衬底两面薄膜的化学成分、微观结构和表面形貌进行了分析。结...  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体信息》2009年03期
半导体信息

法国CNRS-CHREA制造出Si(110)衬底GaNLED

由于法国的一个研究小组制造出首只Si(110)上氮化物LED,光电子与Si电子集成又向前迈上了另一级台阶。尽管这方面还未被...  (本文共1页) 阅读全文>>