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一种新型电路保护器件

电路保护主要有两个基本选项:使用保险丝还是断路器,考虑的因素包括电路电压、电流、  (本文共2页) 阅读全文>>

《电子世界》2005年11期
电子世界

ESD保护器件PESD0402-060/0603-140

随着集成电路的制程尺寸减小、更低的工作电压,静电成为其故障的第一大原因,如何消除静电的干扰,保护电路不受侵害,ESD器件...  (本文共1页) 阅读全文>>

电子科技大学
电子科技大学

瞬态阻断保护器件的结构与工艺设计

瞬态阻断保护器件是一种新型的电路保护方案,不同于传统方案,瞬态阻断保护器基于硅技术,利用JFET检测浪涌电流,结合耗尽型VDMOS实现阻断功能。当电流恢复正常时,瞬态阻断保护器两端的电压自动回落,保护器自动重启,实现“自恢复”功能。目前,国内市场仍以传统电路保护方案为主,对瞬态阻断保护器还处在了解的过程。如今,国家对半导体行业的扶持力度不断加大,未来国内对瞬态阻断保护器的需求必定有所增长。本文以此为契机,设计一款能承受瞬态脉冲电压850V、触发电流最小值为500mA的双向瞬态阻断保护器件。本文的设计分为耗尽型VDMOS和控制电路两部分。本文首先概述了JFET以及耗尽型VDMOS的工作原理,并分析了耗尽型VDMOS的动静态特性以及终端理论。基于国内现有工艺平台,分别设计了适用于850V耗尽型VDMOS的高压工艺流程以及控制电路的分立器件的集成工艺流程。利用工艺仿真软件TSUPREM4验证耗尽型VDMOS工艺是否可行,结合二维器件仿...  (本文共76页) 本文目录 | 阅读全文>>

西安电子科技大学
西安电子科技大学

高速集成电路中ESD保护器件与电路的研究及设计

随着科技革命的不断推进,半导体工艺和集成电路技术同样取得了巨大的进步,使得芯片面积不断减小,运算速度不断提高。然而,高集成度以及高运算速度却使得集成电路和电子器件对静电放电(electrostatic discharge,ESD)保护的要求不断提高。ESD是芯片可靠性研究的重要组成部分。ESD应力产生的高电场、大电流足以击穿CMOS器件的栅氧层或集成电路的金属布线。这使得ESD成为了集成电路失效的主要原因之一。相比起一般集成电路的ESD保护,高速电路低寄生电容、低泄漏电流(leakage current)和零串联电阻(series resistance)等要求使其ESD保护更加困难。因此,双二极管ESD保护电路(dual diodes/rail-based ESD protection circuit)被广泛地应用于射频(radio frequency,RF)、高速(high-speed)和数字电路的ESD保护中。为进一步改善双...  (本文共83页) 本文目录 | 阅读全文>>

《通信电源技术》2020年01期
通信电源技术

便携式压力保护器件综合校验装置的研制

压力释放阀作为大型充油设备重要的非电量保护装置之一,旨在为变压器的安全稳定运行提供可靠保障。由于现场对压力释放阀校...  (本文共3页) 阅读全文>>

《传感器世界》2020年03期
传感器世界

PESD2V8R1BSF ESD保护器件

Nexperia宣布推出PESD2V8R1BSF,这是业内首款专门针对USB4TM标准开发的ESD保护器件,具有领先的RF性能。新款器件采用...  (本文共1页) 阅读全文>>