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非晶硅太阳能电池用优质TCO膜研究

本文介绍利用环形双电子枪制备非晶硅太阳电池用ITO/SnO_2双层透明导电膜新工艺。在最佳条件下制备的该膜的薄层电阻达6  (本文共3页) 阅读全文>>

《国外计量》1986年06期
国外计量

用于离子注入监测的薄层电阻测量的新进展

一、前言廉价计算机的出现使四探针测量系统的性能显著提高。图1(略)是一个薄层电阻测...  (本文共3页) 阅读全文>>

《微电子学与计算机》1974年01期
微电子学与计算机

控制硅中硼主扩散薄层电阻的因素

鉴于扩散电阻的控制在集成电路制造工艺中占有相当重要的地位,因此,本文研究了氧化气氛下影响硼主扩散薄层电阻的各种工艺因素。实验结果表明,影响硼主扩散薄层电阻的重要工艺参数是水温;在宽的温度范围(950~...  (本文共19页) 阅读全文>>

《华东师范大学学报(自然科学版)》1980年02期
华东师范大学学报(自然科学版)

薄层电阻测试结构的研究

本文叙述了 Van der Pauw(VDP)测试结构的基本原理及测量方法。试制了七种这类的测试结构。用圆形 VDP 结构和四种不同形状的十...  (本文共12页) 阅读全文>>

浙江大学
浙江大学

NiSiGe金属源漏组分对肖特基势垒Ge MOSFET电学性能的影响

随着CMOS集成电路技术进入纳米时代,一些物理现象开始在MOS器件中出现,如短沟道效应,速度饱和效应等,这使得传统的器件小型化(scaling)已不能再有效地提高器件以及电路的整体性能。为了去克服这一技术上的瓶颈,高迁移率的半导体材料如SiGe、Ge、Ⅲ/Ⅴ族材料等被考虑引入到新的器件结构中,通过提高沟道载流子的迁移率、减小沟道电阻,从而提高器件的性能和速度。其中,Ge由于它的高空穴迁移率,成为pMOSFET器件最有希望的沟道替代材料。然而,日益减小的器件尺寸也使MOSFET器件源漏区的串联寄生电阻RSD对驱动电流的克制作用愈加严重。其中,源漏接触电阻Rcsd在源漏串联寄生电阻中占据越来越大的比重。因此,减小Rcsd是小尺寸器件发展中一个亟待解决的重要问题。而目前,Si1-xGex作为主流的源漏材料,它的硅锗化物的电学特性还未得到系统的研究。其中,Ni依旧是现在最热门的源漏金属的材料。本文针对如今主流的Ni的硅锗化技术,制备出了...  (本文共74页) 本文目录 | 阅读全文>>

《电子设计工程》2016年06期
电子设计工程

基于水汽气氛磷扩散技术的高薄层电阻制备方法研究

针对光伏工业界对磷扩散薄层电阻不断提升的需求,采用了在磷扩散工艺气氛中增加水汽的方法进行磷源扩散制备高薄层电阻,并通过实验对比两种扩散气氛下的掺杂浓度,少子寿命等表征。实验结果表明:在相同...  (本文共4页) 阅读全文>>