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InGaN/GaN量子阱结构的应变状态与微结构、物理性能关系的研究

应变普遍存在于失配系统中,包括晶格、热膨胀系数以及扩散系数等失配,其状态即应变是否弛豫及弛豫程度与物理性能密切相关。量子阱或超晶格的晶格应变弛豫发生的临界厚度问题是关系到器件设计、材料制备的基本问题,虽然从理论上已提出了多种计算模型,但不同的模型所计算出的结果差别很大,且不同的模型所使用的范围尚不确定。这就激发  (本文共6页) 阅读全文>>

《武汉大学学报(理学版)》2001年03期
武汉大学学报(理学版)

InGaN/GaN量子阱动力学特征分析

采用单量子阱近似模型 ,对 In Ga N/ Ga N量子阱中的激子和电子在导带子带间跃迁的光吸收效应进行了理论分析和数值计算 .结果表明 ,I...  (本文共4页) 阅读全文>>

山东大学
山东大学

In组分渐变的InGaN/GaN多量子阱结构光学特性

随着社会的发展,在全社会用电量中,照明用电的比例越来越大。因此,迫切需要发展节能高效的新型照明。近年来,发光二极管(light-emitting diode,LEDs)因其亮度高、能耗低、寿命长和响应快的优点,成为取代传统照明的第四代照明方式。在各种材料制备的LEDs当中,氮化镓(GaN)基LED由于具有直接带隙和带隙可调的优点,吸引了广泛的关注,并大量应用于普通照明、背光源和显示等领域。GaN基LED,可以通过改变有源区铟镓氮(InGaN)或者铝镓氮(AlGaN)中In、Ga、Al三种元素的含量,实现禁带宽度从0.7 eV到6.2 eV的变化,其发光波长可以从近紫外覆盖到近红外。目前,InGaN/GaN多量子阱(MQWs)基LED在蓝光波段的内量子效率(IQE)已经超过90%。但是随着发光波长的增长,InGaN/GaN MQWs基LED的IQE显著下降,尤其是在黄绿范围内,产生所谓的“黄绿鸿沟”问题。造成这一问题的原因主要有两...  (本文共65页) 本文目录 | 阅读全文>>

南京邮电大学
南京邮电大学

基于InGaN/GaN量子阱光致晶体管的类脑器件研究

在脑科学领域,利用人工类脑突触去模拟生物突触特性也不再是天方夜谭,作为当前世界上最前沿和热门的技术之一,越来越多专家学者投入到该领域并且取得了很多实验性结果,为神经网络和人工智能的长足发展奠定基础。受启发于当前已有的人工突触,例如晶体管或者忆阻器,都是利用离子、质子或者电子来传递神经刺激,本文首次提出并制备了光致突触晶体管,利用光子传递神经刺激。并对该突触晶体管的模拟特性进行研究,实验显示该突触晶体管可模拟出生物突触的成对脉冲易化效应(PPF),一维和多维的记忆效应以及饱和效应。主要工作包括:对比分析后,选择光致晶体管的衬底材料和外延缓冲层材料,使用AutoCAD软件来设计器件的结构,再利用紫外光刻技术,刻蚀技术以及电子束蒸镀技术完成器件的制备,最后用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)来表征器件的物理结构和表面粗糙度。搭建了测量系统对光致突触晶体管的记忆效应和饱和效应进行测试。使用突触晶体管的一个发射极和一个集电极,模拟点对点神...  (本文共55页) 本文目录 | 阅读全文>>

《广州大学学报(自然科学版)》2014年05期
广州大学学报(自然科学版)

InGaN/GaN多量子阱太阳电池的光电性能研究

对利用In含量为0.3的In Ga N/Ga N多量子阱制作的In Ga N太阳电池的结构和光电性能进行了研究,该太阳电池的In Ga N/Ga N多量子阱结构在一定程度上减轻了In N和Ga N相分离现象.研究...  (本文共5页) 阅读全文>>

武汉大学
武汉大学

InGaN/GaN量子阱中的非线性光学性质研究

本论文主要对In_xGa_(1-x)N/GaN量子阱中的三阶非线性极化率进行了研究,并探讨了由于晶格失配造成的内建压变电场对量子阱中光学非线性极化率的影响。首先,在第一章中介绍了量子阱的基本能带结构,带间跃迁以及激子束缚能,并简单介绍了几种量子阱的制备方法。其次在第二章中,利用量子阱中的能带模型计算了波函数。在分析了了内建压变电场随In含量的变化情况之后,又用密度矩阵的方法推导了三阶非线性极化率的计算公式。并由有效质量理论得到了GaN基量子阱能带结构和偶极跃迁矩阵元的计算方法。最后,计算了In_xGa_(1-x)N/GaN量子阱中不同In含量情况下的四波混频三阶极化率,并与不考虑压变电场情况下的三阶极化率作了比较,分析了共振峰发生偏移的原因。我们发现当压电场存在时,由于带间跃迁而引起的三阶非线性极化率要比不考虑压电场时小得多,共振峰也向低频部分发生偏移。  (本文共50页) 本文目录 | 阅读全文>>