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GaAs中的低温Zn扩散

本文研究了低温条件下Zn向GaAs中的扩散。实验是用ZnAs_2源在抽真空的石英管中进行的。研究了结深X_j,扩散温度T和扩散时间t的关系。结果表明,表面层电阻R_s随X_j,的增加而降低;表面浓度C_s随1/T的增加而降低;迁移率μ随C_s的增加而降低。将C_s对1/(R_s·X_j)作图表明,C  (本文共7页) 阅读全文>>

南京航空航天大学
南京航空航天大学

正面发射极以及N型双面太阳电池的制备与性能研究

近几年,随着光伏行业的发展,N型晶体硅太阳电池逐渐受到越来越多的关注,主要是因为N型晶体硅太阳电池具有少子寿命高、基本上没有光致衰减现象以及N型组件的弱光效应好等优点。对于N型太阳电池,硼扩散是形成PN结的关键工艺并且直接影响电池性能,硼正面发射极是影响太阳电池性能的关键因素,但是目前还没有较好的工艺形成高质量的正面硼发射极,本文分别对液态源BBr_3扩散和旋涂硼源扩散两种形成硼发射极的技术进行了系统的研究,最终通过实验选择较优的工艺制备N型太阳电池。本文首先使用PC1D模拟软件,模拟了不同的正面硼发射极(不同的表面浓度和结深)对太阳电池的性能的影响,通过模拟结果可得出较优化的硼发射极,从而为本文实验提供优化的方向。其次使用液态源BBr_3扩散技术形成N型太阳电池正面硼发射极,通过改变扩散过程中的条件得到不同的硼发射极掺杂曲线,研究了推进温度、推进时间和液态硼源的气流量量对发射极的影响,通过实验和模拟的结合,得出了BBr_3扩散...  (本文共79页) 本文目录 | 阅读全文>>

《半导体情报》1976年05期
半导体情报

用旋涂砷硅膜作源的高表面浓度浅结砷扩散

采用液态的砷硅玻璃膜作掺杂源进行高浓度、结深小于1微米的砷向硅中的扩散。报导了源浓度、源厚度和扩散气氛对扩散结果的影响。在1000℃下得到的电活性砷表面浓度为1.7×10~(20)/厘米~3。这大约相当于总砷浓度...  (本文共10页) 阅读全文>>

《半导体技术》1987年02期
半导体技术

对因硼扩散浓度高致使光刻困难的一种解决方法

由于器件参数的要求使硼扩散表面浓度高,以及由于某些偶然因素使硼扩散表面浓度升高都会造成光刻中腐蚀困难.采用硝酸煮沸的方...  (本文共1页) 阅读全文>>

《电子科学学刊》1987年02期
电子科学学刊

Zn、Zn-Cd在In_xGa_(1-x)As中扩散的研究

本文利用ZnAs_2、ZnAs_2+Cd作扩散源,研究了Zn、Zn-Cd在In_xGa_(1-x)As中的扩散。给出了扩散温度和扩散时间,扩散源的种类和材料的组份对x_j-t~(1/2)关系的影响,Zn在In_xGa_(1-x)...  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体技术》1980年05期
半导体技术

Zn在GaAs中的高浓度扩散

本文描述了以ZnAs_2作P型杂质源,在CaAs中扩散,获得浅结(0.1至几微米)、高表面浓度的相图依据、实验技术与结果.此技术已经成...  (本文共8页) 阅读全文>>