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侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文)

在有条状SiO2 图形的GaN“模板”上,侧向外延方法生长了高质量的GaN。荧光显微镜的结果表明在SiO2 掩膜区有成核过程发生。原因可能是SiO2 的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心。在GaN层的厚度达到 4. 5μm后,侧向的融合开始发生。侧向生长的速度与垂直生长速度几乎相  (本文共5页) 阅读全文>>

《宝钢技术》2020年01期
宝钢技术

开口机中心钩自动挂脱钩装置

专利号:ZL201821400800. 2专利权人:宝山钢铁股份有限公司设计人:孙建华张建军开口机中心钩自动挂脱钩装置,包括:移动小车,中心钩座,其上端连接于移动小车的底板下一...  (本文共1页) 阅读全文>>

《发光学报》2001年S1期
发光学报

侧向外延生长GaN的结构特性(英文)

研究了在刻有图形的GaN“衬底”上用HVPE方法侧向外延生长 (ELO)GaN的结构特性。在SiO2 衬底上侧向外延生长GaN已经实现 ,并得到了平面的ELOGaN薄膜。采用扫描电子显微镜、透射电微镜和原子力显微镜技术...  (本文共4页) 阅读全文>>

《宝藏》2015年10期
宝藏

普度众生

就这样,轻轻坐下,挪一挪,靠好。嗨,妥啦!凡身入定,思绪神游。禅者与佛光自然而然地构成了一幅佛...  (本文共1页)

权威出处: 《宝藏》2015年10期
《液晶与显示》2010年01期
液晶与显示

蓝宝石图形衬底上生长GaN的微区拉曼光谱研究(英文)

采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上GaN材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表征,侧向外延区域显示了低的位错密...  (本文共4页) 阅读全文>>

北京邮电大学
北京邮电大学

条型纳米图形衬底结构设计及InP/GaAs材料侧向外延生长

由于硅基Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的单片集成可以突破摩尔定律的限制,使其在硅光子学、光学互连和Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS)技术领域中都有着巨大的应用潜力。因此,近些年硅基单片集成引起了大家的广泛关注。Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的Si基单片集成是当今微电子和光电子器件的有机结合,它不仅集成了两种技术的优点,同时降低了成本,而且还减小了器件尺寸。这个方案吸引了全球的微电子和光电子学研究人员前赴后继的投入研究,并且己经做出了许多阶段性成果。在之前的成果中,特别是它们应用于长距离通信、短距离高速率通信、相关数据中心或高性能计算时的优势,都使得InP基材料系引起了人们对于Si基集成InP的广泛关注。长期以来其实一直都存在着Si基集成InP的需求,光电子和微电子工业迫切需要将诸如InP和GaAs (Ⅲ-Ⅴs)等直接带隙材料与Si (间接带隙材料)集成起来。人们希望未来微电子和光电子的器件尺寸能...  (本文共77页) 本文目录 | 阅读全文>>