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n(Zn)∶n(Ga)比值对合成ZnGa_2O_4结构及光致发光性能的影响

以ZnO和HGaO2为原料,用不同配比合成出系列ZnGa2O4,并对其晶体结构和发光性能进行了研究。用荧光分光光度计检测了ZnGa2O4的激发和发射光谱,用X射线衍射仪检测了ZnGa2O4的衍射图谱,用热重差热仪绘制了TGA-DAT曲线。对检测结果分析认为:1·ZnGa2O4属于尖晶石结构,稍过量的Zn或Ga能进入ZnGa2O4结构  (本文共4页) 阅读全文>>

《应用化学》2005年03期
应用化学

ZnGa_2O_4的制备及其光学性能

以GaO(OH)和ZnO为原料,采用高温固相法合成了ZnGa2O4荧光粉。对样品进行了XRD及发射光谱表征。当n(Ga)∶n(Zn) =2∶1 .2时,制得的Z...  (本文共4页) 阅读全文>>

《光谱学与光谱分析》2008年12期
光谱学与光谱分析

ZnGa_2O_4长余辉发光特性的研究

以ZnO和Ga2O3为原料,采用高温固相法,在不同温度和原料配比下合成了ZnGa2O4。用254 nm的紫外灯照射样品后,发现存在余辉发光,有505和690 nm两个余辉峰,且余辉峰相对强度受原料配比和烧结温度等制备条件的影响。ZnO不足和温度较高时505 nm峰相对强度较高,ZnO过量和温度较低时690nm峰相对强度较高。讨论了余辉峰的来源,认为505 ...  (本文共4页) 阅读全文>>