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肖特基势垒理想因子n值直读测量方法

提出一简单易制的肖特基势垒理想因子n值  (本文共6页) 阅读全文>>

《微电子学》1981年03期
微电子学

用于砷化镓单片集成的肖特基势垒

本文阐述了用于GaAs单片集成的Ti—Au系肖特基势垒的有关特性。指出了实现既要有1微米栅长的几何图形,又要有良好电学特性的肖特基...  (本文共6页) 阅读全文>>

《半导体情报》1979年06期
半导体情报

肖特基势垒耿二极管的分析

本文对肖特基势垒耿二极管随不同的势垒高度...  (本文共3页) 阅读全文>>

《红外技术》1993年05期
红外技术

硅化铱肖特基势垒列阵——实现长波红外成像的新途径

硅化铱肖特基势垒列阵,是一种新近发展起来的用于长波红外(8~14μm...  (本文共4页) 阅读全文>>

西安电子科技大学
西安电子科技大学

环栅肖特基势垒NMOSFET模型研究

为了进一步提高MOSFET的性能,除了引进各种新材料与新技术外,改进器件结构也是重要一环。在改进器件结构中,环栅和肖特基势垒源/漏结构器件是比较有潜力的两种备选方案,而将环栅和肖特基势垒源/漏结合起来的环栅肖特基势垒MOSFET,同时具备两种结构的优点,是近年来MOSFET领域具有潜力的器件之一。然而由于环栅肖特基势垒MOSFET结构和物理机制的复杂性,对其理论模型研究较少,往往以仿真和实验来研究其各种物理特性,理论模型方面匮乏。本文从环栅肖特基势垒NMOSFET的结构和物理机制出发,基于基本的器件物理方程,对阈值电压、漏致势垒减薄效应、漏源电流、跨导、电容和频率等物理和电学特性进行了较系统的研究,开展的主要研究工作和所取得的主要成果有:1.对环栅肖特基势垒NMOSFET的阈值电压和漏致势垒减薄效应分别进行了研究。在分析器件漏源电流产生的物理机制基础上,确认源端电子主要以场发射形式进入沟道时为阈值电压条件。将镜像力势垒降低效应和...  (本文共126页) 本文目录 | 阅读全文>>

上海交通大学
上海交通大学

纳米金属-氧化物-半导体结构中基于肖特基势垒调控的光电效应研究

纳米金属半导体材料往往表现出较块状材料更加突出的光电性能,诸如更强的导电性、导热性、更快的电子迁移率等等,使其在航空、能源、信息等高科技领域具有广阔应用前景。在金属-半导体结构中,肖特基接触是非常常见的一类电学接触方式,在传统的块状材料中,肖特基势垒高度一般比较固定,只取决于金属和半导体的费米能级以及表面态所导致的费米能级钉扎效应。而在纳米金属半导体材料中,肖特基势垒还会受到许多纳米尺寸下特有的物理效应的影响,诸如表面效应,量子尺寸效应,宏观量子隧道效应等等,从而呈现出一定的可调控性。这使得人们可以根据自己的意愿,通过纳米层面上尺寸和结构的设计,来获得不同高度的肖特基势垒,进而大大拓宽了其应用前景,并由此带来了许多新型物理效应和理论机制的探索。本论文是针对这一课题的探索性研究,我们设计制备了不同金属的纳米颗粒薄膜,发现通过外加光场辅助电脉冲的手段可以调节这些结构的肖特基势垒高度,体现在可测量的物理量上,即这些结构的光伏和电阻特性...  (本文共122页) 本文目录 | 阅读全文>>