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单边接地MESFET及其寄生效应的分析模型

本文介绍了栅宽为150μm和240μm两种单边接地MESFET制造工艺及其在单片电路中的应用。这种器件结构可减小器件占用的GaAs芯片面积  (本文共10页) 阅读全文>>

《Journal of Semiconductors》2018年12期
Journal of Semiconductors

Static performance model of GaN MESFET based on the interface state

This paper presents a new model to study the static performances of a GaN metal epitaxial-semiconductor field effect transistor(MESFET) based on the metal-semiconductor interface state of the Schottky junction.The I-V performances of MESFET under different channel lengths and different operating systems(pinch-off or no...  (本文共6页) 阅读全文>>

《测试技术学报》2010年05期
测试技术学报

基于MESFET的GaAs基微加速度计的设计与性能测试

利用金属-半导体结型场效应晶体管(MESFET)作为微加速度计的敏感单元,设计一种4梁-质量块微加速度计结构.通过ANSYS分析软件进行仿真,敏感单位放置于悬臂梁根部的应力最大处,以...  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体技术》1980年50期
半导体技术

GaAs MESFET欧姆接触可靠性研究进展

报道了n型GaAs上欧姆接触的制备及其可靠性,以及基于欧姆接触退化的GaAsMES-FET的失效分析。结果表明,...  (本文共8页) 阅读全文>>

《固体电子学研究与进展》1998年02期
固体电子学研究与进展

L波段50W GaAs MESFET

据日本《NEC技报》1997年第3期报道,NEC公司化合物器件事业部最近新开发了L波段的50W大功率GaAsMESFET...  (本文共1页) 阅读全文>>

《Journal of Shanghai University》1980年30期
Journal of Shanghai University

Study of a GaAs MESFET Model with Ultra-Low Power Consumption

1IntroductionActivedevicesplayanimportantroleinmono...  (本文共5页) 阅读全文>>