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亚稳态Ge_xSi_(1-x)/Si单量子阱的缺陷性质

对于处在亚稳态生长区域内阱宽为15um锗组分x=0.25、0.33、0.40的单量子阱样品,及阱宽相同x=0.45、0.53的单量子阱样品,首先通过喇曼光谱测量了样品的应变弛豫程度,发现当锗组分增加到X≥0.45时,其应变开始逐渐弛豫,然后通过测量深能组瞬态谱(DLTS),研究应变弛豫程度不同的样品中形成的缺陷性质。在X=0.25、0.33、0.40  (本文共8页) 阅读全文>>

《半导体杂志》1970年40期
半导体杂志

无杂质空穴扩散诱导量子阱无序及在光集成中的应用

综述了近年来新发展的量子阱生长后置无序的无杂质空穴扩散诱导量子阱部分无序的工艺技术,...  (本文共5页) 阅读全文>>

《红外与毫米波学报》1960年20期
红外与毫米波学报

非对称耦合双量子阱的荧光光谱研究

讨论了耦合双量子阱的光荧光性质,并着重对不同垒宽...  (本文共4页) 阅读全文>>

《河北师范大学学报》1960年10期
河北师范大学学报

双量子阱中的带电粒子

在有效质量近似下,计算了双抛物理量子阱中带电单粒子(电子和空穴)的本征态...  (本文共7页) 阅读全文>>

《大学物理》1960年30期
大学物理

量子阱器件的原理和应用

详细地描述了量子阱器件的...  (本文共3页) 阅读全文>>

《光电子·激光》1997年S1期
光电子·激光

实现单片光子集成的新手段—量子阱部分无序技术研究

1.项目简介量子阱材料在一定的覆盖层下经快速热退火,量子阱区的阱和垒之间的组分将发生相互扩散,从而造成势阱形状改变,导致吸收边蓝移,但量子限制Stark效应仍然保持。本课题的研究目标是找...  (本文共2页) 阅读全文>>