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Ga在SiO_2-Si界面扩散特性的分析

利用元素Ga其Dsio2>>DS的特点,实现了SiO2/Si中扩散,使基区得到了  (本文共4页) 阅读全文>>

《半导体情报》1980年50期
半导体情报

异质结双极晶体管基区复合电流的解析模型

从求解异质结双极晶体管基区的二维电流连续性方程出发,推导出了基区少数载流子浓度的...  (本文共5页) 阅读全文>>

《天津大学学报》2006年01期
天津大学学报

薄基区异质结晶体管的负阻特性与分析

采用分子束外延方法生长了8 nm基区的InGaP-GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管.该晶体管可以集成在高速高频的数字逻辑电路中,大大...  (本文共5页) 阅读全文>>

《金属成形工艺》2001年02期
金属成形工艺

四边形网格生成的基区拼合法

提出了一种新的四边形有限元网格的生成方法基区拼合法。在基区划分的基础上 ,先进行基区内...  (本文共3页) 阅读全文>>

《半导体情报》2001年05期
半导体情报

基区复合电流对双极晶体管厄利电压的影响

推导了在考虑了基区复合电流后双极晶体管厄利电压的理论表达式。用该表达式计算了 S...  (本文共5页) 阅读全文>>

大连理工大学
大连理工大学

基于BOUT++的台基区湍流和偏滤器热流模拟

在托卡马克高约束模式下,边界等离子体湍流限制台基区结构和跨磁力线输运。理论上,限制台基区结构的湍流主要是动理学气球模,但是缺乏全局模拟支持这一假设。在低约束模式下,湍流主导的跨磁力线输运对偏滤器靶板处热流宽度影响很大。与之相对,在高约束模式下,湍流对热流宽度的影响有待研究。在边界等离子体研究中,BOUT++双流体和回旋流体程序包被广泛用于边界局域模和湍流输运模拟。因此,本文使用BOUT++双流体和回旋流体程序包研究理论和真实平衡下边界等离子体湍流。首先使用回旋朗道流体模块全局模拟动理学气球模。为了验证在动理学气球模模拟中程序的正确性,使用Cyclone算例进行了比压扫描。扫描发现回旋朗道流体模块和GYRO程序结果基本一致。使用基于JET参数全局圆截面平衡,在添加电子-电子碰撞耗散电子模之后,GYRO模拟的模结构显示动理学气球模不稳定,而且模拟增长率与回旋朗道流体模块结果相当。然而,使用GYRO做台基区径向扫描时,发现低环向模数和...  (本文共127页) 本文目录 | 阅读全文>>