分享到:

2~6GHz宽带单片功率放大器

~~2~6G  (本文共1页) 阅读全文>>

《固体电子学研究与进展》2004年03期
固体电子学研究与进展

2~6GHz宽带单片功率放大器

~~2~6G...  (本文共1页) 阅读全文>>

《固体电子学研究与进展》2000年02期
固体电子学研究与进展

2~6GHz单片宽带功率放大器

南京电子器件研究所应用0.5μm的GaAs离子注入工艺,研制开发了2~6GHz的宽带单片功率放大器,其中的大电容采用高...  (本文共1页) 阅读全文>>

电子科技大学
电子科技大学

PHEMT MMIC宽带单片功率放大器设计研究

随着微波通信技术的发展,人们对通信系统的要求越来越高,比如小型化、可靠性等,微波单片集成电路(MMIC)凭借小型紧凑、稳定性好、抗干扰能力强、批量生产成本低和产品性能一致性好等特点成为军事电子对抗及民用通信系统最具吸引力的选择。赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)具有增益、噪声、功率方面更加良好的特性,成为微波与毫米波单片集成电路和超高速数字集成电路领域最具竞争力的有源器件之一,当前,PHEMT MMIC 研究已经成为MMIC研究的一大热点。作为系统的重要组成部分,MMIC 功率放大器在电子对抗、通信、相控阵雷达等领域具有广泛的应用价值,本文重点报导了“PHEMT MMIC 宽带单片功率放大器设计研究”工作,具体的研究内容摘要如下: 1.介绍了MMIC 的背景、国内外研究动态及应用,陈述了MMIC 相对于微波混合集成电路(MIC)的优势、前景及挑战,并对MMIC 的设计技术特点进行了简述。2.研究了PHEMT 器件模型,明确了小...  (本文共71页) 本文目录 | 阅读全文>>

电子科技大学
电子科技大学

Ka频段收发信机单元电路单片集成电路研究

基于GaAs PHEMT(赝匹配型高电子迁移率管)工艺制作的微波/毫米波单片集成电路(MMIC)具有优异的高频特性、功率特性和低噪声特性,因此被广泛的应用于毫米波通信系统、毫米波雷达系统等领域。本文设计了若干Ka频段收发信机单元部件MMIC,通过商用的0.2μm GaAs PHEMT和0.15μm GaAs PPHEMT(功率PHEMT)工艺实现流片并完成测试。同时研究了多功能单元的集成技术、非线性稳定性分析技术和提高单元电路稳定性技术。主要内容摘要如下:(1)研究了非线性稳定性分析方法,并通过增加可变终端阻抗进行了改进,使仿真环境更接近于MMIC的实际使用情况,可得到更实际的仿真结果。(2)研究并完成了Ka频段镜频抑制二次谐波低噪声下变频器芯片,该芯片实现了Ka频段低噪声放大(LNA)及镜频抑制平衡式混频等多个功能单元的单片集成,面积仅为2mm×1.5mm。其中低噪声放大单元采用两级共源放大拓扑结构,偏置采用电阻分压方式;镜频...  (本文共138页) 本文目录 | 阅读全文>>

南京大学
南京大学

单片微波混合集成功率放大器的研究与设计

射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分。目前功率放大器的主流工艺依然是砷化镓(GaAs)工艺。然而近期氮化镓(GaN)技术的成熟为大幅改进系统性能提供了可能。GaN的高介电击穿特性可以支持更高的漏极电压,以提供更高的功率密度。借助GaN可显著提高微波设备的射频转化效率和最大输出功率,以降低系统的总成本。如今,基于GaN工艺的单片微波集成电路(MMIC)正在被逐步引入到商用微波射频单元中。迄今为止,大多数将GaN应用于功率放大器的供应商都依赖于早期器件中的封装技术,如Si横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)和Si双极结晶体管(BJT)。通过用GaN替换这些封装中的硅材料,已经实现了功率密度和效率的提高,但是继续依赖传统的陶瓷封装并没有产生有意义的器件尺寸或重量的减少。因此,本论文提出一种基于GaAs和GaN工艺的小型化、轻薄化、高度集成化、低成本化的混合集成新技术。这种混合集成方案兼有GaAs和GaN两种技术的优势。...  (本文共117页) 本文目录 | 阅读全文>>

扩展阅读: