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耗尽型6H-SiC埋沟PMOSFET电流解析模型

在考虑到杂质的不完全离化作用时,建立了S iC埋沟PM O SFET在发生表面多子耗尽时的电流解析模型。实验结果和模拟结果的一致性说明了此模型的准确性。在300~600 K温度范围表面弱电场的  (本文共5页) 阅读全文>>

《高电压技术》2020年06期
高电压技术

考虑多绕组耦合的Sen Transformer电磁解析模型

为剖析Sen Transformer (ST)的内部特性,提出了一种适用于三相三柱式变压器结构的考虑多绕组耦合的ST电磁解析模型。一方面,从ST的电磁耦合关系出发,基于统一电磁等值电路推导了由自感系数和互感系数构成的ST电磁耦合模型。另一方面,从ST与外接等值系统的电气连接关系出发,推导了S...  (本文共9页) 阅读全文>>

哈尔滨工业大学
哈尔滨工业大学

面向知识库的知识问答技术研究

随着人工智能技术的发展,自动问答技术得到了广泛的关注。与传统的搜索引擎不同,问答系统的主要目标是向用户返回正确而简洁的答案,而非大量候选答案的集合。知识库是文本资源的基础,通过利用知识库,可以细致的分析文本资源中所包含的语义知识。在本课题面向知识库的知识问答技术研究中,主要包含以下三个方面的内容:基于单关系信息检索的知识库问答技术、基于多关系信息检索的知识库问答技术和基于语义解析的知识库问答技术。针对基于单关系信息检索的知识库问答技术,本课题主要探究关系识别技术。先前的工作主要考虑如何建立问题与问句之间的匹配方法,忽略了问题中句法的重要性,所以本课题尝试使用依存句法树,提出了一个基于双向树结构的关系识别模型。实验结果显示本课题提出的方法相对之前的工作有着明显的提升。针对基于多关系信息检索的知识库问答技术,本课题在基于单关系信息检索知识库问答技术的基础上,定义语义图,添加约束识别技术,构成了端到端的知识库问答系统。实验结果显示本课...  (本文共54页) 本文目录 | 阅读全文>>

电子科技大学
电子科技大学

隧穿场效应晶体管的物理机理和解析模型研究

隧穿场效应晶体管(TFET)基于带带隧穿原理工作,其亚阈值摆幅能够突破MOSFET亚阈值摆幅的理论极限60mV/dec,具有较大的研究价值和应用潜力。传统TFET面临着四个主要的问题,分别是:1.开态电流较小;2.存在双极性电流;3.栅漏电容较大;4.需要制造高掺杂突变结。针对开态电流较小和存在双极性电流的问题,研究者们提出了许多新型的器件结构,包括短栅TFET、非单一栅介质的TFET、栅覆盖到源区的TFET、双功函数TFET以及双功函数异介质TFET等,新型器件结构能够提升TFET的开态电流以及减小TFET的双极性电流,改善了TFET的性能。对于新型的TFET结构,解析模型能够更直观的描述结构参数与性能之间的关系,并能为结构的进一步优化设计提供理论指导。可是这些新型器件结构通常比传统TFET的结构更加复杂,具有非统一的边界条件,增加了理论建模的难度,目前缺少与这些结构相对应的解析模型。为了更好的描述器件的性能并为器件设计提供参...  (本文共74页) 本文目录 | 阅读全文>>

中国地质大学(北京)
中国地质大学(北京)

基于Excel编程实现的地下水数值模拟研究

随着地下水超采及污染问题的日趋出现,国家对地下水环境的保护也越来越重视。2011年6月份,《环境影响评价技术导则—地下水环境》(HJ 610-2011)的出台,使地下水的保护上升到了法律的高度。目前进行地下水环境影响评价还没有形成一个统一的评价工具,对于解析法来说没有专门的评价软件;在涉及到用数值法对建设项目进行地下水环境影响评价时,用到的软件很多如GMS、Modflow和Feflow等,但是所用到的软件都过于专业化,对于非地下水专业人员来说,难于操作。Excel电子表格具有强大的数据处理能力和迭代计算功能、拥有友好的可视化界面和易于操作等优点,如果对其进行开发并应用于地下水的影响评价工作,将会为非专业人员提供极大的便利。本论文根据《环境影响评价技术导则—地下水环境》(HJ 610-2011)附录F中有关地下水流解析法、地下水溶质运移解析法及数值模型中地下水流数值模型与地下水溶质运移数值模型中的相关公式,采用VBA(Visual...  (本文共102页) 本文目录 | 阅读全文>>

长沙理工大学
长沙理工大学

SOI基栅控横向PIN蓝紫光探测器的理论建模与工艺研究

根据瑞利散射,大气对光波的散射强度与波长的四次方成反比,对于可见光中的长波光与近红外光而言,其偏振性较差。蓝紫光波段(380~520 nm)的波长较短,偏振性较强,更适合光电探测器检测。目前,蓝紫光探测器通常为单独场效应型或单独双极型二极管,其各自的优缺点,量子效率与频率特性二者相互制约,不利于集成。本文基于SOI基透明电极栅控横向PIN光电二极管(SOI LPIN PD-GTE)进行了以下主要几个方面的研究。1.基于泊松方程,建立了器件栅极电压的解析模型,通过MATLAB对解析模型进行了数值计算,并与仿真结果相对比,验证模型的有效性。得出沟道表面弱反型的栅极电压为0.2145V,沟道表面强反型的栅压为0.5105V。2.基于电流密度方程和电流连续性方程,构建了器件的暗电流解析模型以及在入射光功率为1mW/cm2时光电流的解析模型,利用MATLAB对光电流与暗电流的解析模型进行数值计算,通过仿真结果与计算结果的对比,光电流与暗电...  (本文共67页) 本文目录 | 阅读全文>>