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基于RTD与CMOS的新型数字电路设计

纳米电子器件RTD与CMOS电路结合,这种新型电路不仅保持了CMOS动态电路的所有优点,而且在工作速度、功耗、集成度以及电路噪声免疫性方面都得到了  (本文共5页) 阅读全文>>

《化学通报》2003年06期
化学通报

有机分子共振隧穿二极管

介绍了共振隧穿二极管 (RTD)和有机分子共振...  (本文共5页) 阅读全文>>

中国工程物理研究院
中国工程物理研究院

太赫兹频段InP基共振隧穿二极管及其振荡器的研究

近年来,太赫兹(THz)波独特的性质使得其在高速无线通信、安检成像等领域表现出巨大的应用潜力,其中紧凑和室温工作的太赫兹源是其应用系统的关键组成。基于磷化铟(InP)基共振隧穿二极管(RTD)的太赫兹振荡器以其结构紧凑、室温工作、有一定输出功率和覆盖频率较宽等优点而受到了广泛的关注。然而,目前限制InP基RTD振荡器应用的主要因素是其输出功率偏低(一般不足1 mW)。本文通过研究提升RTD器件性能、RTD器件精确测试与建模和振荡电路阻抗匹配特点,为提升RTD振荡器输出功率奠定基础,主要开展了 RTD器件材料结构优化设计、可精确控制结区面积的器件制备工艺、RTD器件测试建模和RTD振荡电路阻抗匹配等四部分的研究:1.提出并验证了优化发射极隔离层厚度来提升RTD振荡器功率密度的方法。理论上研究了 RTD分层材料结构对器件电学性能的影响规律,针对材料结构设计中RTD器件负微分电导区域的电压宽度和电流宽度难以同时增大的问题,提出了优化发...  (本文共110页) 本文目录 | 阅读全文>>

天津大学
天津大学

二维电子气太赫兹波负阻增强研究:放大器与调制器

由于太赫兹电磁波独特的特点,使得太赫兹技术在物体成像、宽带移动通信、射电天文、环境监测、医疗诊断等方面具有巨大的科学研究价值和应用价值。高电子迁移率晶体管(HEMT)是一种常用的高频器件。栅极长度为亚微米级的高电子迁移率晶体管中所激发产生的等离子体波恰好落在太赫兹范围。共振隧穿二极管(RTD)是一种常用的高频二端口元件,具有负微分电阻的特性,能够抵消电阻带来的能量损耗。高电子迁移率晶体管和共振隧穿二极管非常适合制造太赫兹器件。本文基于高电子迁移率晶体管以及共振隧穿二极管各自的特性,利用共振隧穿二极管元件抵消等离子体波在沟道传输过程中引起的损耗,从而实现功率增益。文中详细分析了高电子迁移率晶体管中的等离子体波和共振隧穿二极管的工作原理。在此基础上,本文设计了基于III-V半导体的放大器和调制器。放大器为共振隧穿二极管栅的高电子迁移率晶体管(RTD-gaed HEMT)的结构。调制器为光敏共振隧穿二极管栅的高电子迁移率晶体管(ORT...  (本文共79页) 本文目录 | 阅读全文>>

《传感技术学报》2006年05期
传感技术学报

基于共振隧穿二极管的矢量水声传感器设计

提出了一种基于共振隧穿二极管(RTD)的矢量水声传感器,传感器采用共振隧穿二极管作为敏感元件,共振隧穿二极管布置在传感器结构中柱体的四周边缘.两...  (本文共4页) 阅读全文>>

《电子工艺技术》2007年01期
电子工艺技术

GaAs基共振隧穿二极管的研究

对GaAs基共振隧穿二极管(RTD)进行了研究,首先用分子束外延(MBE)方法进行A lAs/GaAs/InGaAs双势垒单势阱材料结...  (本文共4页) 阅读全文>>