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0.6μm CMOS分布式放大器设计

采用了国内0.6μm标准CMOS工艺设计实现了一种单片集成的分布式放大器。放大器采用四级级联结构,单元电路采用管联(cascode)结构  (本文共5页) 阅读全文>>

《Journal of Southeast University(English Edition)》2011年01期
Journal of Southeast University(English Edition)

2-μm GaAs HBT工艺的L型网络分布式放大器(英文)

首先对分布式放大器中L型和T型网络的频率特性进行了研究.分析表明,L型网络比T型网络在设计中具有更好的频率特性.基于稳懋半导体的2-μm GaAs HBT工艺实现了一种L型网络的分布式放大...  (本文共4页) 阅读全文>>

《北京理工大学学报》2013年07期
北京理工大学学报

2.9~10.6GHz CMOS两级分布式放大器

研究应用于超宽带无线通信系统中的宽带分布式放大器设计方法.采用电感替代传输线对晶体管寄生电容进行补偿的方法实现带宽拓展.分布式放大器既能扩大其带宽,又能保持较低的噪...  (本文共4页) 阅读全文>>

《微波学报》2010年04期
微波学报

单片分布式放大器的研制

采用0.15μm GaAs pHEMT工艺,研制了单级和两级两种结构的微波毫米波单片分布式放大器。在设计中采用电阻-电容结构代替传统分布式放大器中的终端电阻以降低直流功耗,在输入端加入短路线增强静电保护。根据应用需求设计了相应的放大...  (本文共4页) 阅读全文>>