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PZT薄膜晶化过程的相变及铁电畴监测

采用射频磁控溅射法,在室温Pt/Ti/SiO_2/Si上制备了非晶态Pb(Zr_(0.48)Ti_(0.52))O_3(PZT)薄膜,经不同温度,相同保温时间快速退火处理使其转化为多晶PZT薄膜。用XRD,AFM测定了PZT薄膜的相组分与表面结构,并利用压电响应力显微镜(piezores  (本文共5页) 阅读全文>>

《压电与声光》2004年06期
压电与声光

从PZT体系看无铅压电陶瓷的可能应用

总结了主要以(Bi0.5Na0.5)TiO3和NaNbO3为基的无铅压电陶瓷的性能,以Pb(Ti,...  (本文共4页) 阅读全文>>

《振动与冲击》2020年03期
振动与冲击

PZT和磁致伸缩孤立波传感器的性能研究与分析

孤立波方法被证实可用于测量均匀与非均匀材料的杨氏模量,而用于采集信号的孤立波传感器的性能直接决定测量结果的精度。介绍了两种基于不同原理的孤立波传感器,分别为采用压电材料制成的圆柱传感器,与基于维拉里与法拉第效应的磁致伸缩传感器。利用两种传感器分别测量了同一批水灰比分别为0.42、0.45与0.50的混凝土...  (本文共7页) 阅读全文>>

《材料导报》2013年05期
材料导报

提高PZT压电性能方法的研究现状

PZT(锆钛酸铅)是应用最广泛的压电陶瓷。介绍了提高PZT压电陶瓷压电性能的方法,重点总结了采用改变锆钛比、进行...  (本文共5页) 阅读全文>>

《材料导报》2007年02期
材料导报

关于PZT压电陶瓷低温活化烧结的研究进展

从原料制备、烧结助剂、烧结工艺等方面详细介绍了促进PZT压电陶瓷低温活化烧结的方法,分析了晶体缺陷促进活化烧...  (本文共4页) 阅读全文>>

《半导体技术》2001年01期
半导体技术

硅基PZT铁电薄膜的制备与性能研究

用溶胶-凝胶(Sol-Gel)方法制备了硅基Pb(Zr_0.53Ti_0.47)0_3(PZT铁电薄膜。分析了PZT铁电薄膜的表面形貌、晶化程度、界面状态等...  (本文共4页) 阅读全文>>