锑化铟探测器扩散结深的探讨
本文从改善锑化钢红外探测器的光电流和探测度着手,从理论上分析了锑化铟光伏型
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- 红外技术
研究了Zn、Cd源量对InSb扩散结深的影响。在相同的扩散条件下,扩散源Zn、C...
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- 半导体光电
基于标准CMOS工艺,可实现单结深光电二极管传感器(p+/n-well、n-well/p-sub和n+/p-sub)和双结深光电二极管传感器(p+/n-well/p-sub)。建立了双结深光电二极管传感器的光电响应数学模型,仿真了四种结构的光敏响应。采用上华...
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- 红外
采用Sentaurus TCAD软件对n-on-p型Hg_(1-x)Cd_xTe红外探测器的结构进行了建模,并就结深对光伏二极管...
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- 中国新技术新产品
该文主要是通过TCAD工具分析工艺对集成电路工艺结果的影响,通过TCAD工具模拟集成电...
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- 发光与显示
本文论述了在720℃~750℃的温度下,Zn在Ga(1-x)Al_xAs,GaAs中的扩散。研究了结深x_1,随片...
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