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单片式PtSi肖特基势垒IR-ITCCD焦平面列阵

本文介绍了PtSi肖特基势垒IRCCD的工作原理,评述了国外硅化物肖特基势垒红外焦  (本文共6页) 阅读全文>>

《红外技术》1993年05期
红外技术

硅化铱肖特基势垒列阵——实现长波红外成像的新途径

硅化铱肖特基势垒列阵,是一种新近发展起来的用于长波红外(8~14μm...  (本文共4页) 阅读全文>>

《半导体技术》1990年04期
半导体技术

肖特基势垒特性参数测试数据的计算机处理

本文主要讨论根据正向J_F-V特性和C-V特性测试数据解析肖特基势垒高度和理想因子的...  (本文共5页) 阅读全文>>

《微电子学》1981年03期
微电子学

用于砷化镓单片集成的肖特基势垒

本文阐述了用于GaAs单片集成的Ti—Au系肖特基势垒的有关特性。指出了实现既要有1微米栅长的几何图形,又要有良好电学特性的肖特基...  (本文共6页) 阅读全文>>

《固体电子学研究与进展》1984年02期
固体电子学研究与进展

肖特基势垒理想因子n值直读测量方法

提出一简单易制的肖特基势垒理想因子n值...  (本文共6页) 阅读全文>>

西安电子科技大学
西安电子科技大学

环栅肖特基势垒NMOSFET模型研究

为了进一步提高MOSFET的性能,除了引进各种新材料与新技术外,改进器件结构也是重要一环。在改进器件结构中,环栅和肖特基势垒源/漏结构器件是比较有潜力的两种备选方案,而将环栅和肖特基势垒源/漏结合起来的环栅肖特基势垒MOSFET,同时具备两种结构的优点,是近年来MOSFET领域具有潜力的器件之一。然而由于环栅肖特基势垒MOSFET结构和物理机制的复杂性,对其理论模型研究较少,往往以仿真和实验来研究其各种物理特性,理论模型方面匮乏。本文从环栅肖特基势垒NMOSFET的结构和物理机制出发,基于基本的器件物理方程,对阈值电压、漏致势垒减薄效应、漏源电流、跨导、电容和频率等物理和电学特性进行了较系统的研究,开展的主要研究工作和所取得的主要成果有:1.对环栅肖特基势垒NMOSFET的阈值电压和漏致势垒减薄效应分别进行了研究。在分析器件漏源电流产生的物理机制基础上,确认源端电子主要以场发射形式进入沟道时为阈值电压条件。将镜像力势垒降低效应和...  (本文共126页) 本文目录 | 阅读全文>>