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Zn、Cd在InSb中的扩散

研究了Zn、Cd源量对InSb扩散结深的影响。在相同的扩散条件下,扩散源Zn、C  (本文共4页) 阅读全文>>

《半导体光电》2014年04期
半导体光电

用于生物荧光检测的高灵敏CMOS双结深光电传感器设计

基于标准CMOS工艺,可实现单结深光电二极管传感器(p+/n-well、n-well/p-sub和n+/p-sub)和双结深光电二极管传感器(p+/n-well/p-sub)。建立了双结深光电二极管传感器的光电响应数学模型,仿真了四种结构的光敏响应。采用上华...  (本文共4页) 阅读全文>>

《红外》2018年12期
红外

碲镉汞光伏二极管的电流与结深研究

采用Sentaurus TCAD软件对n-on-p型Hg_(1-x)Cd_xTe红外探测器的结构进行了建模,并就结深对光伏二极管...  (本文共4页) 阅读全文>>

权威出处: 《红外》2018年12期
《中国新技术新产品》2020年12期
中国新技术新产品

离子注入结深的参数影响分析

该文主要是通过TCAD工具分析工艺对集成电路工艺结果的影响,通过TCAD工具模拟集成电...  (本文共2页) 阅读全文>>

《航空兵器》1991年02期
航空兵器

锑化铟探测器扩散结深的探讨

本文从改善锑化钢红外探测器的光电流和探测度着手,从理论上分析了锑化铟光伏型...  (本文共4页) 阅读全文>>

《发光与显示》1984年03期
发光与显示

Zn在Ga_(1-x)Al_xAs中的扩散规律

本文论述了在720℃~750℃的温度下,Zn在Ga(1-x)Al_xAs,GaAs中的扩散。研究了结深x_1,随片...  (本文共7页) 阅读全文>>