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用RHEED方法分析半导体薄膜特性

在讨论RHEED原理的基础上,介绍了组建的RHEED装置和其附属的  (本文共4页) 阅读全文>>

《应用化学》1960年50期
应用化学

TiO_2半导体薄膜的制备与特性

TiO_2半导体薄膜的制备与特性徐明霞,徐廷献,刘宁(天津大学材料系天津300072)关键词TiO_2...  (本文共3页) 阅读全文>>

《半导体光电》1960年40期
半导体光电

用5晶(7晶)X射线衍线仪研究半导体薄膜材料

5晶(7晶)X射线衍射仪非常适合于高级半导体单晶,特别是Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ...  (本文共6页) 阅读全文>>

《玻璃与搪瓷》1990年40期
玻璃与搪瓷

玻璃表面的透明半导体薄膜

对玻璃表面透明半导体薄膜的组成、纳米...  (本文共3;页) 阅读全文>>

上海交通大学
上海交通大学

浓磁半导体薄膜的制备、电子结构和磁性研究

自旋电子学的本质是自旋参与信息处理过程,其最理想的材料之一是既有铁磁性又有半导体性的磁性半导体,但是传统稀磁半导体的居里温度很难达到室温。近年来新型的基于隧穿各向异性磁电阻(TAMR)的反铁磁自旋电子学(AFM spintronics)逐渐引起人们的关注,其中反铁磁层的作用不同于传统自旋器件中的钉扎层,会直接参与自旋相关的导电过程,这使得反铁磁材料的应用得到了巨大的拓宽;反铁磁材料具有磁杂散场小、居里温度高等优点,这一发现也为室温自旋电子器件提供了思路。反铁磁半导体,集两种优势于一身,可以在一种材料中同时实现室温自旋导电和半导体调控。然而目前关于磁性薄膜材料尤其是反铁磁薄膜的研究比较少,本论文的研究课题主要是制备和表征高质量的反铁磁半导体薄膜。利用分子束外延技术(MBE)和反射式高能电子衍射仪(RHEED),我们制备了一系列高质量的浓缩磁性半导体(过渡金属磁性元素Mn、Fe、V等的硫族化合物)薄膜,然后用扫描隧道显微镜(STM)...  (本文共131页) 本文目录 | 阅读全文>>

中国计量大学
中国计量大学

p型CuSCN半导体薄膜的结构设计及其光电特性研究

CuSCN是一种导电性能良好的宽带隙p型半导体(禁带宽度约3.6 eV),具有良好的透光性和载流子迁移率,近年来已经在光电化学领域引起了众多科研工作者的关注和研究兴趣。目前CuSCN薄膜制备的工艺主要包括:浸渍法、液相蒸发法和铜阳极电解法及电化学沉积法。其中,电化学沉积法因为适用于大面积沉积,易于调控薄膜的组成和厚度,更适合于半导体基底上沉积等优点,最受关注。CuSCN半导体薄膜具有良好的光电性能,研究报道发现,p-CuSCN薄膜光电特性与薄膜结构形貌密切相关,而且目前报道的p-CuSCN薄膜结构缺陷较多,界面阻抗较大,载流子寿命不高,光电性能普遍较差。因此,本课题尝试利用电化学沉积法制备p-CuSCN薄膜,通过改变不同实验参数实现调节薄膜的结构形貌和光电性能,探究薄膜结构与光电性能之间的内在关联;并尝试对CuSCN薄膜进行改性,借助多种材料表征手段和光电测试技术对产物的结构和光电特性进行探究,提高薄膜的光电性能。本文主要研究工...  (本文共72页) 本文目录 | 阅读全文>>