分享到:

通过InGaAsP外延层的InP深Zn扩散理论与实验研究

研究了Zn在InP、InGaAsP以及InGaAsP/InP中的扩散,扩散结深均与时间的平方根成正比.对于InG  (本文共4页) 阅读全文>>

长春理工大学
长春理工大学

Zn扩散制备GaSb PN结的工艺及物性研究

GaSb禁带宽度低(0.72eV),对红外光响应度高,能够用于红外光电二极管等光伏器件,尤其是近年来热光伏(TPV)电池技术的发展,使得GaSb成为TPV电池最有希望的材料之一。TPV系统的关键在于热光伏电池的制备,而热光伏电池关键在于PN结的制备。目前制备GaSb PN的方式通常是在N-GaSb衬底表面扩散Zn,使得扩散层反型为P型,形成PN结。目前实验室大多采用气相扩散制备GaSb PN结,但是气相扩散存在扩散时间长、气体消耗量大等缺点。为了克服这些缺点,本文提出了N-GaSb衬底表面固相成膜扩散,并通过实验成功制得结深约为200nnm,空穴浓度为1018em-3量级的GaSb PN结,为后续制备GaSb光伏器件奠定了良好的基础。  (本文共52页) 本文目录 | 阅读全文>>