分享到:

耐反应离子刻蚀的紫外激光光致抗蚀剂的研究

以芳香族双迭氮基化合物为交联剂,苯氧基二苯甲酮为光敏剂,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为基质树脂,合成了负型激光光致抗蚀剂。该体系能够在氮分子激光辐  (本文共5页) 阅读全文>>

《微电子学》1940年60期
微电子学

二氧化硅反应离子刻蚀中氟的作用

二氧化硅反应离子刻蚀中氟的作用=Roleoffluorineinreactiveionetchingo...  (本文共1页) 阅读全文>>

《电子与封装》2016年09期
电子与封装

硅的深度反应离子刻蚀切割可行性研究

评估了使用深反应离子刻蚀工艺来进行晶圆的切割,用于替代传统的刀片机械切割方式。结果表明,使用深反应离子刻蚀工艺,晶圆划片...  (本文共4页) 阅读全文>>

《真空科学与技术》1988年03期
真空科学与技术

反应离子刻蚀的机理及其实验研究方法

反应离子刻蚀业已成为制造集成电路的一项重要技术。本文扼要地论述四类干法刻蚀的机理:物理刻蚀,化学刻蚀,化学-物理刻蚀及光化学刻蚀。文中较详细地给出Si,SiO_2、Si_3N_4、Al、和Ⅲ-V族半导体化合物的反...  (本文共8页) 阅读全文>>

《微电子学与计算机》1989年06期
微电子学与计算机

自动送片式反应离子刻蚀机

随着VLSI技术的发展,集成密度不断提高,器件图形特征尺寸愈来愈小。传统的湿法化学腐蚀已不能适应微细线条腐蚀的需要。反应离子刻蚀是一种离子辅助等子技术,它兼有离子刻蚀的高分辨率和等离子化学腐蚀的高腐...  (本文共1页) 阅读全文>>

《压电与声光》1982年05期
压电与声光

反应离子刻蚀技术

本文综述了反应离子刻蚀技术的概况,引用了文献71篇。对反应离子刻蚀的机理作了简单介绍,并对刻蚀的方向性、选择性、均...  (本文共10页) 阅读全文>>