分享到:

肖特基势垒的电反射谱

用化学沉积方法制备了Au-GaAs、Pd-GaAs和用蒸发方法制备了Au-GaAs、Pd-GaAs、Al  (本文共3页) 阅读全文>>

《物理》1986年11期
物理

肖特基势垒形成的研究

金属-半导体接触的整流性质是一个古老的固体物理问题.它的发现可追溯到1874年Braun对金属-硫化铜接触的导电...  (本文共6页) 阅读全文>>

权威出处: 《物理》1986年11期
《半导体技术》1989年04期
半导体技术

Al/a-Si:H肖特基势垒效应

利用辉光放电分解SiH_4的方法制备了三种不同的Al/a-Si:H肖特基势垒结构样...  (本文共3页) 阅读全文>>

《红外技术》1993年05期
红外技术

硅化铱肖特基势垒列阵——实现长波红外成像的新途径

硅化铱肖特基势垒列阵,是一种新近发展起来的用于长波红外(8~14μm...  (本文共4页) 阅读全文>>

《微电子学》1981年03期
微电子学

用于砷化镓单片集成的肖特基势垒

本文阐述了用于GaAs单片集成的Ti—Au系肖特基势垒的有关特性。指出了实现既要有1微米栅长的几何图形,又要有良好电学特性的肖特基...  (本文共6页) 阅读全文>>

《固体电子学研究与进展》1984年02期
固体电子学研究与进展

肖特基势垒理想因子n值直读测量方法

提出一简单易制的肖特基势垒理想因子n值...  (本文共6页) 阅读全文>>