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气相沉积的特点

在刀具上进行气相沉积得到涂层时,必须记住一些注意事项。刀具最关键的部位  (本文共1页) 阅读全文>>

《江西冶金》2004年02期
江西冶金

硬质合金刀具涂层技术的研究进展

随着涂层技术的进步,使得硬质合金刀具涂层方法在不断地进步,日趋复杂化和多样化;硬质合金刀具涂层种类也在不断地更新,从单一的化合物涂层朝着多元复杂化合物涂层发展,涂层层数也从几层到十几层发展。本文简要地综述了目前国内外涂层硬质合...  (本文共6页) 阅读全文>>

天津大学
天津大学

浅沟槽隔离工艺的薄膜沉积

随着半导体集成电路技术的不断发展,要求在有限的晶圆表面做尽可能多的器件,晶圆表面的面积变得越来越紧张,器件之间的空间也越来越小,因此对器件的隔离工艺要求越来越高。浅沟槽隔离工艺正好满足了这一要求。本论文简述了半导体集成电路工艺及其工艺中的器件隔离技术,重点研究浅沟槽隔离工艺。并从薄膜的沉积原理着手,结合化学气相沉积工艺原理,研究利用高密度等离子体化学气相沉积工艺制作的浅沟槽隔离薄膜。经过对利用高密度等离子体化学气相沉积工艺制作的浅沟槽隔离薄膜的各项工艺参数的研究及相关实验数据分析,了解了硅烷、氧气、氩气、反应时晶圆的温度、反应室的压力、等离子体电场等工艺参数对薄膜沉积的影响。经过改变其中某个工艺参数并观察其对浅沟槽填充能力的影响的实验,得出实验数据,并利用数据分析得出能很好的填充浅沟槽的薄膜的工艺参数配比,并将其应用于实际的产品生产过程。通过实验,得出了以下结论:在氧气过量的条件下硅烷的气体流量与沉积速率成正比例关系;化学反应时...  (本文共59页) 本文目录 | 阅读全文>>

《工业加热》2014年01期
工业加热

WZ003552 表面镀膜技术的发展现状

传统的表面渗碳、渗氮热处理,工件表面渗层的硬度约为HV1000左右。与此相比,化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)以及等离子化...  (本文共1页) 阅读全文>>

《广东化工》2019年02期
广东化工

化学气相沉积技术在中低温选择性还原脱硝催化剂和光电领域的应用

化学气相沉积作为一种新型镀膜技术,已经发展出成熟的有极其优异的电、光、热、力、声学性能的材料制备工艺。...  (本文共2页) 阅读全文>>

浙江大学
浙江大学

等离子体CVD法制备a-Si_(1-x)C_x:H薄膜及其微结构和性能研究

氢化非晶硅碳材料(a-Si_(1-x)C_x:H)是一种宽带隙非晶半导体材料,其光学带隙可以通过组分调制的,人们可以根据不同的应用目的制备出不同光学带隙的a-Si_(1-x)C_x:H材料。然而,氢化非晶硅碳a-Si_(1-x)C_x:H薄膜在太阳能电池、发光二极管等的应用中往往会由于薄膜结构的无序度而导致性能不稳定,引起发光效率的下降和引起太阳能电池的内建电势降低和串联电阻增加从而使太阳能电池的转换效率降低。在硅基发光材料的应用中,一般在衬底温度600℃以上的较高温度下制备的纳米硅碳薄膜才观察到镶嵌在无序网络中SiC和Si纳米颗粒因量子尺寸效应而引发了光致发光现象和在800℃沉积并经退火获得的高度择优取向薄膜后能在室温下发出更强的光。作为窗口材料在非晶硅薄膜太阳能电池的应用中,发现在薄膜非晶网络中生成微晶Si相的结构,才能更好地在光学带隙满足要求的同时控制其所需的合适电导率。本论文的研究目的在于通过电容耦合等离子体增强化学气相...  (本文共133页) 本文目录 | 阅读全文>>