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大应变In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs量子阱激光器的生长和研究

金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长应变InGaAs/GaAs量子阱,应变缓冲层结合生长  (本文共4页) 阅读全文>>

《中国光学》2020年02期
中国光学

复介质对光量子阱光传输特性的激活效应

利用传输矩阵法研究复介质对光量子阱光传输特性的激活效应机制,结果表明复介质可有效激活光量子阱的光透射率和内部局域电场。无论组成光量子阱的介质是实介质还是复介质,光量子阱内部均存在局域电场,且局域电场均会产生频率量子化并在透射谱中出现分立的窄透射峰。在介质A中掺入激活性杂质的复介电常数虚部k为正时,光量子阱内部局域电场和分立窄透射峰的透射率均出现衰减现象,且随着k值增大内部局域电场单调衰减越来越明...  (本文共15页) 阅读全文>>

《激光与光电子学进展》2020年01期
激光与光电子学进展

多变量离子注入型量子阱混杂效应

为实现InP基单片集成光电子器件和系统,对InGaAsP/InGaAsP分别限制异质结多量子阱激光器结构展开量子阱混杂(QWI)技术研究。在不同能量P离子注入、不同快速热退火(RTA)条件以及循环退火下,研究了有源区量子阱混杂技术,实验结果采用光致发光(PL)谱进行...  (本文共7页) 阅读全文>>

《激光与红外》2020年06期
激光与红外

复介质光量子阱光传输特性的增益效应

利用传输矩阵法,研究复介质光量子阱光传输特性的增益效应机制,结果表明复介质对光量子阱内部局域电场和分立共振透射峰的透射率均具有增益放大作用:复介质光量子阱与实介质光量子阱一样,内部也存在很强的局域电场以及透射谱中也出现分立的共振透射峰,但复介质光量子阱的内部局域电场和分立共振透射峰会出现增益放大现象。在光量子阱的组成介质A中掺入具有增益效应的激活性杂质时,光量子阱的...  (本文共7页) 阅读全文>>

《内蒙古民族大学学报(自然科学版)》2011年03期
内蒙古民族大学学报(自然科学版)

有限深对称量子阱中电子量子比特的性质

通过求解有限深对称量子阱中电子的能量本征方程,得到电子的能量状态;并以此为基础利用基态和第二激发态叠加构造一个量子比特,研究电子量子比特的性质.数值计算结果表明:概率密度的振荡周期与量子阱宽度和深度均有关,当势阱深度给定时,振荡周期随量子...  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体光电》2010年04期
半导体光电

1053nm超辐射发光二极管量子阱的设计

对于给定波长的超辐射发光二极管,根据应变量子阱理论,研究了器件有源层组分与量...  (本文共4页) 阅读全文>>