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集电极扩散隔离工艺

本文介绍集电极扩散隔离工艺的特点,叙述该工艺的实验,并给出用此工  (本文共5页) 阅读全文>>

《微电子学》1972年06期
微电子学

集电极扩散隔离工艺的进展

据报导,英国本国有三家集成电路制造厂家:普莱赛公司、通用电气公司和费拉蒂公司。普莱赛公司专攻...  (本文共2页) 阅读全文>>

《当代化工》2011年07期
当代化工

安全隔离工艺在长北合作区块中的应用

从安全隔离工艺的概念、类型和方法入手,阐述了长北气田一期开发过程中安全隔离工艺存在的问题和...  (本文共5页) 阅读全文>>

《微电子学》1950年20期
微电子学

一种无场氧化物减簿效应的新颖硅局部氧化隔离工艺

一种无场氧化物减簿效应的新颖硅局部氧化隔离工艺=Auovellocaloxidationofsilic...  (本文共1页) 阅读全文>>

《西安交通大学学报》1977年01期
西安交通大学学报

多晶硅隔离工艺试验

采用简易多晶硅隔离方法制造集成稳压源是新的试验。本文就试验过程中为选择外延提供多晶核心的氧化膜...  (本文共9页) 阅读全文>>

《半导体技术》1984年02期
半导体技术

磷隐埋对通隔离在集成电路中的应用

目前,在国内集成电路生产中,通常采用PN结隔离工艺和介质隔离工艺.其中PN结隔离工艺又以锑隐埋单面隔离为常见.磷隐埋对通隔离工艺国内只有个别高等院校采用,...  (本文共2页) 阅读全文>>

天津大学
天津大学

浅沟槽隔离工艺的薄膜沉积

随着半导体集成电路技术的不断发展,要求在有限的晶圆表面做尽可能多的器件,晶圆表面的面积变得越来越紧张,器件之间的空间也越来越小,因此对器件的隔离工艺要求越来越高。浅沟槽隔离工艺正好满足了这一要求。本论文简述了半导体集成电路工艺及其工艺中的器件隔离技术,重点研究浅沟槽隔离工艺。并从薄膜的沉积原理着手,结合化学气相沉积工艺原理,研究利用高密度等离子体化学气相沉积工艺制作的浅沟槽隔离薄膜。经过对利用高密度等离子体化学气相沉积工艺制作的浅沟槽隔离薄膜的各项工艺参数的研究及相关实验数据分析,了解了硅烷、氧气、氩气、反应时晶圆的温度、反应室的压力、等离子体电场等工艺参数对薄膜沉积的影响。经过改变其中某个工艺参数并观察其对浅沟槽填充能力的影响的实验,得出实验数据,并利用数据分析得出能很好的填充浅沟槽的薄膜的工艺参数配比,并将其应用于实际的产品生产过程。通过实验,得出了以下结论:在氧气过量的条件下硅烷的气体流量与沉积速率成正比例关系;化学反应时...  (本文共59页) 本文目录 | 阅读全文>>