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MOCVD材料生长的在位反射谱监测与表面不均衡平整度的模拟计算

介绍了MOCVD在位反射谱监测的原理,利用高  (本文共3页) 阅读全文>>

《电子工业专用设备》2019年06期
电子工业专用设备

MOCVD反应室模拟仿真研究

以MOCVD为研究对象,采用有限元方法研究了喷淋头进气压强、流量、载片盘转速及反应室出口压力对反应室内部流场的影响...  (本文共5页) 阅读全文>>

《山东工业技术》2018年22期
山东工业技术

MOCVD设备与现代MOCVD技术研究

MOCVD,即金属有机物化学气相沉积法、金属有机物气相外延生长,是一种制备化合物半导体薄层的方法,应用于多个领域,如太阳能...  (本文共2页) 阅读全文>>

《工业加热》2018年05期
工业加热

MOCVD系统反应室流场的模拟优化设计

金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)系统是制备GaN等半导体薄膜材料、建筑材料、LED等光电子器件装饰材料主要设...  (本文共3页) 阅读全文>>

《Optoelectronics Letters》2017年03期
Optoelectronics Letters

Structure and photoluminescence properties of InN films grown on porous silicon by MOCVD

In this work, indium nitride(InN) films were successfully grown on porous silicon(PS) using metal oxide chemical vapor deposition(MOCVD) method. Room temperature photoluminescence(PL) and field emission scanning electron microscopy(FESEM) analyses are performed to investigate the optical, structural and morphological properties of the InN/PS nanocomposites. FESEM images show that the pore size of InN/PS nanocomposite...  (本文共3页) 阅读全文>>

《Rare Metals》2017年09期
Rare Metals

Zinc tin oxide thin films prepared by MOCVD with different Sn/Zn ratios

Zinc tin oxide(ZTO) thin films, with zinc acetate and tributyltin chloride as raw materials, were deposited on glass substrates by the method of metal organic chemical vapor deposition(MOCVD). The crystallization, microstructure and optical properties were investigated by scanning electronic microscope(SEM),X-ray diffraction(XRD) and ultraviolet-...  (本文共5页) 阅读全文>>