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感生电场实验研究

利用测量感生电动势的方  (本文共3页) 阅读全文>>

哈尔滨工业大学
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缠绕式电脉冲水处理系统阻垢效能优化关键技术研究

水垢问题一直是困扰人类日常生活和生产的重要问题,它的存在不但严重影响人们的身体健康,而且会降低工业生产中的能量交换效率,并导致严重的安全隐患。缠绕式电脉冲水处理系统(circumvolute electronic pulse watertreatment system,简称CEPWT系统)是一种基于交变电场阻垢原理的水处理系统,被广泛应用于解决工业硬水及民用硬水的水垢问题,其阻垢效果较为显著。但是到目前为止,交变电场的阻垢机理还没有被人们完全掌握,因此缠绕式电脉冲水处理系统在实际的工程应用中缺乏可靠的理论指导,从而导致了系统阻垢性能的不稳定。本文研究的目的是在完善交变电场阻垢机理研究结论的基础上,探索缠绕式电脉冲水处理系统关键参数的优化方法,为缠绕式电脉冲水处理系统阻垢性能的优化提供可靠的理论基础。本文紧紧围绕缠绕式电脉冲水处理系统阻垢性能优化这一主题,针对国内外在交变电场阻垢机理研究过程中存在的争议问题,应用分子动力学模拟的方...  (本文共115页) 本文目录 | 阅读全文>>

西安理工大学
西安理工大学

GaAs光电导开关中载流子输运规律研究

半导体光电导开关(Photoconductive semiconductor switches)是利用超短脉冲激光器与光电导体(如:Si,GaAs,InP等)相结合形成的一类新型开关器件,具有快速响应(皮秒上升、下降时间),GHz的重复率,无触发晃动,寄生电感电容小等优点。在THz技术、超高速电子学、超宽带雷达、脉冲功率技术等高科技领域具有广阔的应用前景。光电导开关中光生载流子的输运及输运引起的瞬态电磁过程决定开关的输出特性。本文以光电导开关载流子输运规律为研究目标,利用理论和数值方法,分别对线性和非线性工作模式下的载流子输运规律及其对输出的影响进行了研究,完成以下工作:一、提出光电导开关线性模式下的全电流导通模型利用电磁学理论研究了横向光电导开关光生载流子输运引起的瞬态电磁过程。在低电场偏置,均匀弱光触发条件下的线性工作模式中,将光电导开关内瞬态电磁过程形成的位移电流分为两类:1.由光生载流子输运在光电导体内形成的瞬变内建电场...  (本文共98页) 本文目录 | 阅读全文>>

重庆大学
重庆大学

单极性碲锌镉核辐射探测器及其红外激励效应研究

当今世界,核辐射的应用和探测正在逐渐引起人们的重视。X射线和伽玛射线探测技术作为空间科学、原子核科学和生物医学等科学领域的关键技术手段,在核能利用、医学成像、安全检测、环境监测和天文探测等方面都有重要的应用。特别是近年来,随着我国“神光-III”原型的建成及惯性约束核聚变ICF研究的发展、太阳探测和宇宙背景辐射探测的开展、大型航空航天器的无损探伤和先进核医学成像需求的增加,高分辨率的伽玛射线探测器的研究已经成为核辐射探测领域的研究热点。CdZnTe材料具有平均原子序数高、电阻率高(≥1010?·cm)、禁带宽度大(1.57eV)、不存在极化现象等特点,这些优异的材料特性使得CdZnTe核辐射探测器相对于传统的闪烁体探测器具有更好的能量分辨率和成像能力;同时CdZnTe材料的出现也填补了硅(Si)对高能射线探测效率低和高纯锗(HPGe)不能在室温下工作等不足,使得CdZnTe探测器成为最具潜力的室温半导体核辐射探测器。然而CdZn...  (本文共121页) 本文目录 | 阅读全文>>

西安理工大学
西安理工大学

4H-SiC光触发晶闸管新结构研究

第三代半导体材料碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、热导率高、临界雪崩击穿电场强度高、饱和载流子漂移速度大等优点,是制作高温、大功率、抗辐射电力电子器件的理想材料之一。作为电力电子器件,SiC光触发晶闸管(LTT)在简化驱动电路、提升抗电磁干扰能力等方面具有极大优势。经多年发展,国内外SiC LTT的研究工工作已取得可喜成绩。但与硅(Si)材料不同,常温下p型重掺SiC存在受主杂质电离率低的特点,由此导致的SiC p+n结空穴低注入现象对SiC LTT性能的影响及作用机制的研究鲜有报道。为此,本文在系统分析SiC LTT的基本结构、工作原理与电学特性基础上,通过建立4H-SiC LTT数值仿真模型,对SiC LTT空穴低注入现象的形成机理及不良影响进行了系统的研究,以改善器件性能为目标,开展了4H-SiC LTT新结构的理论与实验研究工作。主要研究内容和成果如下:1.开展了SiC LTT p+n发射结空穴低注入现象的成因及其对SiC...  (本文共147页) 本文目录 | 阅读全文>>

大连理工大学
大连理工大学

压电材料多次压电效应理论模型的仿真研究

自1880年Curie兄弟在石英晶体上发现压电效应以来,压电效应的理论和应用研究已取得了突飞猛进的发展。然而,一直以来的压电效应研究均属于一次压电效应领域。由于科学技术发展和工程实际需要,随着多次压电效应的感生电场和感生应变越来越微小化,需要进一步对多次压电效应的理论与应用进行研究。本文分析了一次、二次以及多次压电效应与压电体机械、电学边界条件的关系,讨论了多次压电效应产生的前提是满足相应边界条件,结合不同边界条件,进行了从一次正、一次逆压电效应开始的多次压电效应的理论分析,建立了多次压电效应的解析表达式,分析了多次压电效应对压电体介电系数、弹性系数、压电系数的影响规律。在此基础上,本文分别针对压电石英晶片和PZT-5压电陶瓷片进行建模,运用大型有限元分析软件ANSYS对从正压电效应开始的一次正、二次逆以及从逆压电效应开始的一次逆、二次正进行了模拟仿真,证明了二次正、逆压电效应的存在,把输出结果和多次压电效应表达式计算结果进行比...  (本文共84页) 本文目录 | 阅读全文>>