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Sm_2Fe_(17)C_x化合物晶场系数计算

介绍了一种确定稀土化合物Sm2Fe17Cx晶格中原子坐标的方法  (本文共3;页) 阅读全文>>

《物理学报》1980年70期
物理学报

掺铒硅发光的晶场分裂

测量了掺铒硅的高分辨光致发光光谱,得到9条铒发光分裂谱线.利用群对称理论指出9条谱线来自Er3+中4I13/2到4I15/2光跃迁在Td晶场下的分裂.Er3+的第一激发态4I13/2...  (本文共3;页) 阅读全文>>

《徐州师范大学学报(自然科学版)》2005年01期
徐州师范大学学报(自然科学版)

4f电子晶场势在不同对称性下的表示

研究了不同对称环境下,对称操作对4f电子晶场势的限制...  (本文共3页) 阅读全文>>

苏州大学
苏州大学

键稀疏和随机晶场Blume-Emery-Griffiths模型的铁磁材料的临界行为和磁学性质

本文在有效场理论的框架内,基于简立方晶格讨论了自旋为S=1的键稀疏和随机晶场Blume-Emery-Griffiths(BEG)模型的临界行为和磁学性质。键稀疏、随机混合(±)晶场,偶极与偶极相互作用与交换相互作用的比率(α)之间的相互影响使BEG模型展示出一些新的现象。当模型中同时考虑键稀疏和随机晶场两种无序分布,所给出的相图显示二级相变线中存在由双三临界点确定的一级相变区,一级相变区将随键稀疏浓度增加而扩大,晶场的两种不同随机行为强力地影响一级相变区和重入相变。当α0时,在T-D平面内,当满足特定的无序条件时,相图上出现了三临界点和相变盲区。值得注意的是,当引入强键稀疏时,随着随机晶场浓度的变化,相变线上出现了单三临界点,甚至双三临界点。当α0相比,相图中的盲区明显扩大。在外场下,键稀疏和随机晶场两种无序因子共同作用使磁化和磁化率曲线呈现出一种不规则的行为。例如,在较大的负晶场区域中,在χ-T平面内,磁化率曲线出现双峰现象。...  (本文共45页) 本文目录 | 阅读全文>>

《西南民族大学学报(自然科学版)》2009年02期
西南民族大学学报(自然科学版)

32个点群的晶场势及其与坐标系的关系

基于晶体场理论,系统地给出了铁族离子32个点群的晶场势,并研究了坐标系取法不同时晶场势的变化.研究结果表...  (本文共6页) 阅读全文>>

《物理学报》2005年06期
物理学报

四角对称晶场中~4B_1(3d~3)态离子的磁相互作用及其自旋哈密顿参量研究

基于完全对角化方法,研究了~4B_1(3d~3)态离子在四角对称晶场中的磁相互作用,分析了自旋哈密顿参量(b02,g∥,g⊥,Δg)的微观起源.结果表明在被考虑的大部分晶场区域,人们通常考虑的SO(spin orbit)磁相互作用的贡献最为重要;然而,对于零场分裂参量b02而言,来自其他...  (本文共10页) 阅读全文>>