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半导体断路开关数值模拟

为了研究半导体断路开关(SOS)的截断过程及其在脉冲功率系统中的工作特性,建立了半导体断路开关的电流控制模型,对p+-p-n-n+掺杂结  (本文共4页) 阅读全文>>

《现代电子技术》2010年12期
现代电子技术

数值模拟研究半导体断路开关的电流截断特性

半导体断路开关(SOS)效应的发现,促进了全固态脉冲功率源技术的发展和应用。采用一维流体模型,利用SOS数值模拟程序对SOS二极管P+-P-N-N+结构的电流截断特性进行了数值模拟研究。研究了SOS二极管P...  (本文共3页) 阅读全文>>

《强激光与粒子束》2010年06期
强激光与粒子束

半导体断路开关电路-流体耦合数值模拟

为了研究掺杂结构为p+-p-n-n+的半导体断路开关的ns脉冲截断机理,根据流体力学方程和全电流方程推导出半导体断路开关内部载流子运动满足的电流-电压关系表达式,提出了一种外电路方程和载流子流体力学方程联立求...  (本文共4页) 阅读全文>>

《强激光与粒子束》2014年06期
强激光与粒子束

半导体断路开关输出脉冲宽度的参数影响规律

采用Silvaco TCAD软件,对P+-P-N-N+SOS结构输出脉冲宽度的参数影响规律进行了一维数值模拟研究,包括N...  (本文共4页) 阅读全文>>

《真空电子技术》2008年01期
真空电子技术

基于半导体断路开关的脉冲功率源及其应用

半导体断路开关效应的发现促进了能连续重复频率运行的半导体断路开关和基于这种开关的高平均脉冲功率源的发展和应用,与其它应用于脉冲功...  (本文共4页) 阅读全文>>

《高压电器》1998年02期
高压电器

用于脉冲功率技术中的离子束断路开关

介绍用于真空储能装置中的离子束断路开关——IBOS。它是利用高速...  (本文共3;页) 阅读全文>>

《强激光与粒子束》1990年30期
强激光与粒子束

金属箔断路开关电爆性能的研究

给出了在单纯断路开关调节电路(F型)、断路开关-变压器调节电路(FT型)...  (本文共3;页) 阅读全文>>