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MOCVD生长低阈值电流GaInP/AlGaInP 650nm激光器

通过MOCVD外延实现了限制层高铝组分及高掺杂,制作出低阈值电流密度的压应变多量子阱激光器材料,后工艺制备了低阈值电流基横模  (本文共4页) 阅读全文>>

郑州大学
郑州大学

265nm深紫外激光器结构设计研究

深紫外波段的激光器在高密度光数据存储、医疗杀菌、激光显示和卫星通信等领域都有着十分广泛的应用。近几年来国内外的学者及研究机构都对深紫外波段的激光器有着强烈的探索兴趣。目前深紫外激光器选用的是三元化合物AlGaN材料,通过调控A1N和GaN组成的三元化合物AlGaN中的A1组分,可以覆盖深紫外波段(220nm~280nm)。本研究的目标是激射出265nm波段的激光器件结构,并在该结构的基础上对器件进行优化,以获得更好的激光输出特性。本论文的主要工作内容如下:介绍了激光器的国内外发展现状,指明该研究方向的意义。并详细探讨了激光器件的工作机制及工作物质—AlGaN材料性质。另外也介绍了对该激光器件进行电学及光学模拟运算所用到的物理方程及其调用的各种模型。本仿真研究的环境是基于CrossLight公司旗下的Lastip软件,所以对该软件的操作流程也做了简单的说明。本论文所设计激光器为功率型激光器,其目标激射波长265nm。先设计了最基本...  (本文共74页) 本文目录 | 阅读全文>>

《中国集成电路》2006年05期
中国集成电路

用“阈值电流”评估FLASH存储器件可靠性

本文针对小功率、低功耗的FLASH存储器件“小阈值电压窗口”的特点,提出了用“阈值电流”作为读取位线的参考电流。研究了“大阈值...  (本文共8页) 阅读全文>>

《半导体光电》1982年02期
半导体光电

以P型GaAs为衬底的低阈值可见光半导体激光器

日本夏普中央研究所采用在P型GaAs衬底上生长n型GaAs层并设电流阻挡层的办法降低了可见光半导体激光器的阈值。所研制的可见光半导体激光器,其发射波...  (本文共1页) 阅读全文>>

《激光与红外》2012年06期
激光与红外

空间辐射环境对激光光源阈值电流特性的影响

激光光源是卫星光通信系统中重要的终端部件,其工作性能最终影响和制约着通信系统的稳定性和可靠性。对空间辐射环境下GaAs,InP激光有源材料的阈值电流密度变化进行了深入的理论研究。数值计算结果...  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体学报》2005年10期
半导体学报

GaAs基长波长量子点激光器增益和阈值电流密度的理论分析(英文)

基于谐振子模型的量子点能级,计算了包括和排除激子影响时多能级的增益谱.考虑了低温时非平衡载流子分布.得出...  (本文共7页) 阅读全文>>