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晶体管的高频小信号模型

由晶体管的结构特点,引出其高频小信号模型,并进一  (本文共6页) 阅读全文>>

电子科技大学
电子科技大学

CMOS晶体管毫米波大信号模型研究

智能家居、移动手机等无线通信设备的市场需求使得射频集成电路步入了高速发展的进程。成熟且低成本的CMOS工艺在集成度、截止频率方面都显现出了其巨大的应用价值。随着CMOS工艺节点不断减小,其截止频率不断增大,器件工作在高频时呈现出的电磁效应以及谐波反应也更为复杂。在电路设计阶段,仿真对于提升集成电路的性能和成功率都有着极为重要的作用。晶体管Spice模型对电路的仿真结果有着直接的影响。因此,准确的器件模型是电路设计的根本。如何获取准确的高频器件模型成为了研究的关键所在。本文围绕晶体管的非线性大信号模型进行了一系列的研究工作,旨在于提升晶体管模型的精度。首先,对晶体管的去嵌入方法进行归纳和对比后,本文提出了一种改进的openshort去嵌入等效电路模型。该模型考虑了open去嵌结构中的金属过孔的损耗和各端口不同层金属之间的电容耦合效应,考虑了short去嵌结构中的端口耦合效应。测试去嵌入结构后,将模型结果与测试数据对比,对比结果表明...  (本文共85页) 本文目录 | 阅读全文>>

华东师范大学
华东师范大学

深亚微米MOS场效应晶体管小信号及噪声建模技术研究

随着电路复杂度的不断提高,越来越多的工程师们选择利用计算机辅助软件完成对电路的初始设计,而软件中嵌入的器件模型精度决定了仿真电路能否准确反映真实电路的特性。本论文以深亚微米金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模型为例,研究了MOSFET的小信号模型和噪声模型。在回顾了半导体器件与集成电路的发展历程,介绍了MOSFET模型的研究现状以及发展趋势之后,提出了MOSFET模型的建立方法。主要研究工作包括:1)采用开路短路法去除测试结构的寄生参数,建立射频MOSFET小信号等效电路模型,并提取频率范围为0-40GHz时MOSFET小信号等效电路模型内部电路的寄生参数和本征参数;2)对建立的MOSFET小信号等效电路模型进行仿真,并对不同栅指数的MOSFET器件模型进行缩放性分析;3)提出一种考虑非准静态效应的MOSFET小信号等效电路模型,并分析其仿真结果;4)在MOSFET小信号模型的基础上提出一种包含POSPIESZALS...  (本文共78页) 本文目录 | 阅读全文>>

《微型机与应用》1992年12期
微型机与应用

微机在晶体管快速筛选中的应用

本文介绍用微机控制晶体管电学参数的测试条件的接通和关断、采用对晶体管的瞬时超功...  (本文共3页) 阅读全文>>

《飞航导弹》1990年08期
飞航导弹

休斯科学家研制出新型晶体管

加州Malibu的休斯研究实验室的科学家,最近研制出他们相信是世界上开关速度最快的晶体管,并在去年12月在华盛...  (本文共1页) 阅读全文>>

《电子技术》1991年06期
电子技术

170GHz的体通导晶体管

日本电信电话公司研制成世界最高速的晶体管,其工作频率为170GH...  (本文共1页) 阅读全文>>

《今日科技》1992年07期
今日科技

超导晶体管

美赛迪亚国家实验室和威斯康辛大学的科学家和工程师们已研制成了一种新的晶体管——超导晶体管,并命名为超导磁通流晶体管(SFFT)...  (本文共1页) 阅读全文>>