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黄铜冷轧拉伸轧面择优取向

SACP_s提供了一种测量晶体试样有限区域内晶体学取向的方便方法。这是一种迅速而精确的方法。从实验结果看,冷轧后经退火和  (本文共5页) 阅读全文>>

《物理化学学报》2002年11期
物理化学学报

高择优取向铜镀层的电化学形成及其表面形貌

采用电化学方法在H2SO4-CuSO4电解液中获得高择优取向的Cu电沉积层.XRD结果表明,在1.0~6.0和15.0A·dm-2的电流密度下可分别获得(220)和(111)晶面高择优取向的Cu镀层.在同一电流密度下获得的Cu电...  (本文共6页) 阅读全文>>

《青岛化工学院学报》1960年30期
青岛化工学院学报

射频等离子体化学气相沉积择优取向膜的研究

用射频等离子体沉积择优取向的...  (本文共3页) 阅读全文>>

《真空电子技术》1960年30期
真空电子技术

射频等离子体化学气相沉积择优取向膜的研究

用X-衍射的方法分析影响射频...  (本文共3页) 阅读全文>>

武汉理工大学
武汉理工大学

氯化物化学气相沉积法制备立方碳化硅涂层

立方碳化硅(?-SiC)陶瓷涂层材料在面对聚变反应中高温等离子体载荷、高通量中子辐射、强物理化学溅射作用时呈现出优异的抗辐照损伤性能,在高温耐辐射损伤核聚变堆材料体系中具有非常广阔的应用前景。为解决核能安全性、可靠性问题提供新选择,本研究采用氯化物化学气相沉积(CVD)技术,通过对各项沉积工艺参数的调控和优化,以实现快速制备化学计量比均一、择优取向和显微结构可控、毫米级厚度?-SiC涂层为目标,为其在聚变堆第一壁涂层材料中的应用提供相应的理论基础。本论文重点研究了CVD沉积温度T_(dep)、反应室压力P_(tot)、碳/硅摩尔比R_(C/Si)、碳源种类对SiC择优取向、显微结构、结晶性、沉积速率R_(dep)的影响规律,并分别确定了影响上述结果的关键因素;且分析了纤维择优取向SiC的形成机制,建立择优取向与其显微结构间的客观联系。SiC的择优取向主要受T_(dep)和P_(tot)影响,在高T_(dep)低P_(tot)条件...  (本文共88页) 本文目录 | 阅读全文>>

《高等学校化学学报》1961年10期
高等学校化学学报

铈离子对镍电沉积层择优取向的影响

铈离子对镍电沉积层择优取向的影响黄令,许书楷,汤皎宁,杨防祖,周绍民(厦门大学化学系,厦门,36100...  (本文共3页) 阅读全文>>