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非晶半导体超晶格薄膜的光声谱研究

本文对a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜进行了光声谱研究.在光声谱中可以观察到由于量子尺寸效应所引起的吸收边“兰移”现象.将超晶格系列样品的光声  (本文共6页) 阅读全文>>

《功能材料》2001年04期
功能材料

非晶半导体的研究与应用

1968年Ovshinsky在多元硫系薄膜中观察到电的开关与存贮效应以来 ,特别是 1975年氢化非晶Si的 p型与n型掺杂控制...  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体技术》1950年50期
半导体技术

非晶半导体发展及应用

论述了非晶半导体及其器件的发展。重点介绍了利用非晶材料制成的太阳电池、场效应管、电荷耦合器件、发光器...  (本文共4页) 阅读全文>>

《物理》1990年02期
物理

非晶半导体的一些新进展

十多年来,非晶态半导体基本概念的更新和技术应用的进展一直处于方兴未艾的状态.本文...  (本文共5页) 阅读全文>>

权威出处: 《物理》1990年02期
《南京大学学报(自然科学版)》1985年04期
南京大学学报(自然科学版)

非晶半导体超晶格薄膜的制备及其性质

本文报导了a—Si:H/a—Si_(1-...  (本文共4页) 阅读全文>>

《物理学报》1984年01期
物理学报

非晶半导体中杂质和缺陷态的电子统计理论

本文应用统计物理的方法,讨论了非晶半导体的掺杂效应,特别是在低温下的...  (本文共6页) 阅读全文>>