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晶体管集电结由反偏到正偏的物理过程讨论

本文简述了晶体管作开关运用时集电结由反偏状态向正偏状态转化的物理本质。在动态过程的分析中引入了非中性多子和非中性少子的新提法。得出如下结论:1.  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体技术》1988年04期
半导体技术

硅低频大功率管集电结击穿负阻特性的探讨

采用涂层铝扩散基区工艺的低频大功率管集电结反向击穿特性,容易出现负阻现象.对发生负阻击穿时的芯片作表面观察...  (本文共5页) 阅读全文>>

《物理学报》2011年01期
物理学报

含有本征SiGe层的SiGe异质结双极晶体管集电结耗尽层宽度模型

本文分别建立了含有本征SiGe层的SiGeHBT(异质结双极晶体管)集电结耗尽层各区域的电势、电场分布模型,并在此基础上,建立了集电结耗尽层宽度和延迟时间模型,对...  (本文共7页) 阅读全文>>

《固体电子学研究与进展》2005年03期
固体电子学研究与进展

不同集电结结构的AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管

设计并制备了三种不同集电结结构的A lG aInP/G aA s异质结双极晶体管,计算给出了三种集电结能带结构。通过对三种HBT的直流特性测试表明,N pN型HBT因异质集电...  (本文共6页) 阅读全文>>

《微电子学》2015年05期
微电子学

SOI SiGe HBT集电结渡越时间模型研究

根据器件实际工作情况,找出SOI器件与传统器件的不同,建立并研究了SOI SiGe HBT集电结渡越时间模型。结果表明,模型与集电区掺杂浓度、集电结...  (本文共4页) 阅读全文>>

《半导体技术》2014年02期
半导体技术

IGBT集电结局域寿命控制的比较与分析

新型的电场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-IGBT)改善了传统穿通型(PT)IGBT性能上的不足,但对于1 200 V以下器件需要超薄片加工。为打破加工技术的限制,用简易的厚片工艺实现薄片性能,可以在集电结附近设置载流子局域寿命控制层(LCLC)来改善器件性能。目前有两种方案:将LCLC区...  (本文共6页) 阅读全文>>