分享到:

化合物和合金中离子投影射程分布矩的计算(Ⅱ) 轻离子(Z_1≤10)的射程分布矩

本文根据离子在固体材料中电子阻止截面的实验资料,给出了低能Li~+,Be~+,B~+,C~+,N~+,O~+,F~+,Ne~+等离子在固体中电子阻止截面S_e的经验公式。这些经验公式既能够很好地反映电子阻止本领的Z_1和Z_2振荡、又能正确地  (本文共12页) 阅读全文>>

《核技术》1951年20期
核技术

电子阻止截面对平均投影射程计算结果的影响

以氦离子轰击碳靶和镍靶为例,通过五种半经验理论计算与实验结果的比较,指出基于BK模型的通用计算公式可以在很宽能区范围(几keV-几MeV)内得到与实...  (本文共6页) 阅读全文>>

《课程教育研究》2018年52期
课程教育研究

硅和氮化镓中杂质注入投影射程的模拟

离子注入是常用的半导体掺杂技术,投影射程Rp以及其标准偏差△Rp对研究注入杂质离子在半导体中浓度分布来说非常重要。本文利用SRIM(The Stopping and Range of Ions in Matter)软件模拟计...  (本文共1页) 阅读全文>>

《物理学报》1995年03期
物理学报

注入离子在无定形固体靶中投影射程分布的统计特性

用基于两体碰撞近似的动态蒙特-卡罗模拟方法和Boltzmann输运方程近似解法,研究注入离子在无定形固...  (本文共9页) 阅读全文>>

《红外研究》1983年03期
红外研究

Cd_xHg_(1-x)Te中离子投影射程分布矩的计算

本文采用符合于WHB势的核散射函数计算了离子Al~+、P~+、S~+、Zn~+、Ga~+、As~+、Sb~+注入Cd_xHg_(1-x)Te衬底的投影射程分布的一次至三次矩,并由这些矩给出了投影射程的分布参数——平均投影射程Rp、平均投影...  (本文共10页) 阅读全文>>

《物理学报》1992年11期
物理学报

MeV重离子在固体靶中的平均投影射程计算

根据Biersack角扩散模型,建立了计算MeV重离子在固体靶中的平均投影射程的方法。与新近发表的1.0MeV的In~+,Xe~+,Ta~+和1.0—2.0MeV的Pb~+在Si中的平均投影射...  (本文共5页) 阅读全文>>