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自旋交换碰撞占主导时光泵硷金属原子的电子自旋弛豫

本文分析了自旋交换碰撞为主要机制时,光泵硷金属  (本文共5页) 阅读全文>>

华中科技大学
华中科技大学

Mo/W基低维层状过渡金属硫系化合物的可控制备与物性研究

二维层状过渡金属硫系化合物(2D TMDCs)材料具有丰富的晶体结构以及新颖的物理性质,2D TMDCs材料在光电催化、电学器件、光电探测等方面都具有很好的应用前景。光致发光在半导体型TMDCs材料的物理性质中最具代表性。他代表了TMDCs材料的带隙结构。同时,目前对于含Te元素的TMDCs材料的研究还有很多欠缺。大面积可控性制备高质量含Te元素的TMDCs材料还处于初步阶段。因此本文集中对MoS_2、MoTe_2和WTe_2的可控制备与物性进行了研究,并弥补了WTe_2在电化学催化方面的空白。第一,通过MnO_2来调控MoS_2单晶的生长。我们发现MnO_2可以有效的降低MoS_2的形核速率从而促进横向生长。并且在生长基底的不同位置可以得到不同形貌的MoS_2单晶(四边形和三角形)。最后我们通过Raman、TEM和理论计算分析了MoS_2单晶PL强度从中间到边缘逐渐减小的现象。第二,通过碲化反应制备得到大面积的WTe_2薄膜。...  (本文共133页) 本文目录 | 阅读全文>>

河南大学
河南大学

半导体量子阱及有机薄膜中的偏振光电流研究

目前,对材料高性能的要求,使得材料自旋相关物理机制的分析研究变得愈加重要。偏振光电流效应是一种与空间或时间反演不对称密切相关的物理现象,是用来表征自旋相关的物理性质的有效方法,本论文研究了半导体量子阱及有机薄膜中的偏振光电流现象。论文主要分成三大部分,第一部分是利用CoFeB/MgO铁磁电极和半导体量子阱组成自旋发光二极管结构,研究了平面极化和垂直极化自旋发光二级管中偏振光电流的差异。第二部分是通过未掺杂的InGaAs/AlGaAs多量子阱中圆偏振光电流,研究了面内电场影响的自旋输运过程;第三部分是初步地研究了有机薄膜中偏振光电流,并与偏振光致发光谱进行比较分析。本论文的主要研究结果如下:1.我们通过对CoFeB/MgO铁磁电极和GaAs量子阱组成自旋发光二极管结构进行研究,在室温下测量到圆偏振极化的光电流。通过对自旋发光二极管角度相关偏振光电流的研究,发现圆偏振极化光电流的大小与入射光和铁磁电极极化方向之间的相对位置有关,我们...  (本文共86页) 本文目录 | 阅读全文>>

中国科学院大学(中国科学院物理研究所)
中国科学院大学(中国科学院物理研究所)

多物理场下多层膜结构的自旋相关输运性质的研究

含有铁磁层/非铁磁层界面的多层膜体系一直以来作为自旋电子学的重要研究对象,可以提供多种特别的物理性质,如空间对称性破缺、垂直磁各向异性,从而为电流翻转磁矩、高密度存储等多种具有巨大应用价值的器件功能的实现提供了可靠的物理基础。因此,对多层膜结构的输运特性的研究,特别是输运性质对多种物理场的响应特征及其内在机制的阐明,可为今后材料开发和器件应用提供诸多借鉴。就此方面问题,本文主要阐述以下两方面工作:(1)通过磁控溅射生长铂/钴多层膜,并加工为反常能斯特或反常霍尔效应的测量结构。通过电学输运测量来表征体系中两个效应的特征量——反常霍尔角和反常能斯特系数,讨论二者随着铁磁/非磁界面数量增多的变化,以及二者之间的依赖关系。同时基于线性响应理论,通过已有的唯象输运模型来推导出二者间的关系式,并与实验得到的结果作比较。综合模型及实验结果,得出二者存在着线性的正相关性,以及都随着界面数量增多引起的体系自旋轨道耦合增强而增长的结论。(2)磁控溅...  (本文共70页) 本文目录 | 阅读全文>>

《西南师范大学学报(自然科学版)》2015年11期
西南师范大学学报(自然科学版)

电子自旋共振实验中自旋弛豫时间的测定

介绍了电子自旋共振实验的基本原理和实验方法.利用实验教学仪器,首次测量了DPPH样品中未成对电子的自旋弛豫时间.实验中,利用RC移相电...  (本文共5页) 阅读全文>>

《物理学报》2006年06期
物理学报

半导体量子阱中电子自旋弛豫和动量弛豫

根据电子自旋轨道耦合对自旋极化弛豫影响的DP机理进一步导出了半导体中电子自旋弛豫与动量弛豫及载流子浓度的关系,并采用飞秒抽运探测技术在室温下测量AlGaAs/GaAs...  (本文共5页) 阅读全文>>