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用正电子湮没方法研究快离子导体

本文用正电子湮没方法研究了作为快离子导体的LiF-LiCl-B_2O_3,LiF-B_2O_3新体系。发现正电子湮没的中间成分的强度l_2  (本文共4页) 阅读全文>>

《真空科学与技术》1989年02期
真空科学与技术

正电子湮没寿命谱表面分析研究

从表面分析方法学角度研究正电子湮没寿命谱表面分析技术。用Al_2O_3·3H_2O、硅胶表面键合物等多孔材料作实验证实,寿命谱的长寿组份的相对强度与样品的比表面积有线...  (本文共5页) 阅读全文>>

《化学学报》1989年09期
化学学报

硅胶表面键合物的正电子湮没谱研究

本文在多孔无定形硅胶的表面上键合了不同极性的化学基因,制成一系列相同基体,但表面基团不同的样品,测定了其正电子湮没寿命谱。发...  (本文共4页) 阅读全文>>

《上海钢研》1989年01期
上海钢研

正电子湮没测试中μ_d的简单估算方法

用正电子湮没方法测金属材料中位错密度ρ_d时需要先求出比捕获速率μ_d(qd_d...  (本文共3页) 阅读全文>>

《核技术》2011年03期
核技术

基于遗传算法的正电子湮没寿命谱拟合

正电子湮没谱学是无损探测材料中纳米缺陷的有效手段,通过正电子湮没寿命谱可获得正电子在材料中的湮没状态以及材料内部电子密度分布的信息。本工作基于遗传算法(GA)的全局搜索...  (本文共4页) 阅读全文>>

《核技术》1970年30期
核技术

正电子湮没数据处理方法的改进

将最新的基于Laplace变换的大型正电子寿命无约束解谱程序CONTIN(PALS2),在保持运算精度和运算速度的条件下,成功地移植于个人微机。移植后的程序能在微机保护模式下运...  (本文共5页) 阅读全文>>