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等能谷间杂质散射对无序层状系统电导率的影响

本文研究了等能谷间杂质散射对无序层状系统电导率的影响,求得了依赖于平面间耦合t的系统的有效维数的电导率修正。并且发现在计及等能谷间杂质散射时  (本文共7页) 阅读全文>>

南京大学
南京大学

拓扑系统中杂质散射效应的理论研究

拓扑绝缘体具有与普通绝缘体一样的体能隙,同时在能隙中存在拓扑保护的边界态。边界态受时间反演对称性保护,其自旋和动量相互绑定形成螺旋或手征结构,因而对时间反演不变微扰具有很强的鲁棒性。拓扑绝缘体的独特性质使得它们在自旋电子学和拓扑量子计算中具有很大的应用前景。本文使用格林函数和线性响应理论对拓扑系统中的掺杂效应进行了理论研究,主要包括以下内容:在第一章中,我们首先简要地介绍了拓扑绝缘体的拓扑性质和发展过程,然后着重介绍了本文使用的方法:杂质散射理论和线性响应理论。对于掺杂系统,由于自能的引入,体系的本征问题一般不可严格求解。此时,传统的酒保公式不能很好地处理掺杂系统下的输运问题。在本章的第四节,我们从新的角度推导了Kubo-Streda公式,并将其推广到了有限频的情况。Kubo-Streda公式用格林函数表示,能够较好地处理杂质散射问题,因而在处理掺杂系统的拓扑输运问题中具有很大的优势。这种方法主要应用在本文的第四和第五章。在第二...  (本文共114页) 本文目录 | 阅读全文>>

《河南师范大学学报(自然科学版)》1970年40期
河南师范大学学报(自然科学版)

金属薄膜中的杂质散射效应

考虑到杂质散射效应,运用量子统计的方法,计算金属薄膜中杂质...  (本文共4页) 阅读全文>>

《山东大学学报(理学版)》2009年11期
山东大学学报(理学版)

自旋轨道耦合系统中的电流导致的自旋极化

研究了二维Rashba自旋轨道耦合电子系统中的电流导致的自旋极化。对于δ函数形式的短程电子杂质散射,得出了和文献一致的结果。在远处杂质散射下...  (本文共5页) 阅读全文>>

《微电子学与计算机》1982年01期
微电子学与计算机

新型GaAs FET的研究——在77°K低温下杂质散射减少,显示出高迁移率

未掺杂的GaAs和n型AlGaAs相接触,用栅极电场来控制在GaAs一侧产生的载流子,富士通研究所研制了这种场效应晶体管,其特点是,在77°K下电子迁移率的实测...  (本文共2页) 阅读全文>>

《半导体学报》2006年02期
半导体学报

共振声子辅助的太赫兹量子级联激光器中杂质散射的蒙特卡洛模拟(英文)

通过蒙特卡洛方法研究了基于共振声子散射的太赫兹量子级联激光器中杂质散射对激光器性能的影响.使用单子带静态屏蔽模型来处理电子与杂质的散射过程.发现电...  (本文共5页) 阅读全文>>