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准一维电子通道中声电电流的理论计算

表面声波在GaAs AlxGa1 -xAs异质结表面上沿由分裂门产生的准一维电子通道方向传播时 ,在通道中诱导  (本文共6页) 阅读全文>>

北京工业大学
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准一维层状材料KP_(15)的制备及光学特性研究

二维材料由于其超薄的物理尺寸、强面内共价键作用、超大的比表面积和表面原子的高曝光率可以广泛应用于制备电子/光电器件、超级电容器、Li离子电池以及柔性器件。降低二维材料的晶体对称性会导致高各向异性的晶体结构,进而导致高各向异性的光、电性能。这些各向异性的二维材料可应用于开发高性能电子和光学器件以及开展多体物理现象的研究,拓宽二维材料的应用范围。但目前主流高各向异性二维材料的发展面临挑战:光致氧化反应导致黑磷在大气环境中降解,ReS_2载流子迁移率低,GaAs以及As_(1-x)P_x中存在有毒元素As。这些缺点严重限制了高各向异性二维材料的发展。针对以上问题本论文系统研究了一种新的具有层状结构的高各向异性材料:KP_(15),主要内容归纳如下:(1)利用气相传输法得到了KP_(15)的单晶,并利用单晶衍射首次确定了KP_(15)的晶体结构。同时利用最大熵法和第一性原理计算发现了KP_(15)电荷密度分布的高各向异性。另外给出了KP...  (本文共132页) 本文目录 | 阅读全文>>

中国科学院大学(中国科学院上海技术物理研究所)
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准一维结构光电探测机理研究

低维材料的发展促进了基于新型纳米结构的电子与光电子器件的研究。准一维结构的半导体因其一维的载流子输运通道、较大的表面积-体积比和亚波长的直径尺寸而展现出独特的电学和光学性质,为高增益、高带宽、偏振敏感、宽波段响应的高性能光电探测提供了可能。然而,受高暗电流和弱光耦合的影响,目前准一维结构光子型探测器的性能依然偏低。尤其是,红外波段的光电探测性能还有很大提升空间。基于此,论文开展了基于砷化铟纳米线、硫化镉纳米线、硒(硫)化锡纳米线和单壁碳纳米管等多种准一维结构的半导体光电探测器的研究,探测器的响应波段覆盖了从紫外、可见到中红外。本工作不但详细地阐释了上述准一维结构探测器中的光电流产生机制,还采用了多种方法进一步优化了探测器的性能。具体如下:1.分别制备了由化学气相沉积(CVD)方法生长的单根n型CdS纳米线和单根p型SnX(X=Se,S)纳米线背栅场效应晶体管,测得相应的光增益分别高达10~5和10~4。模拟了纳米线的光吸收特性并...  (本文共123页) 本文目录 | 阅读全文>>

中国科学院大学(中国科学院物理研究所)
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准一维结构等相关超导材料的探索与研究

自从超导电性发现以来,超导材料探索以及超导机理研究一直是凝聚态物理领域的前沿课题。特别地,铜氧化物和铁基高温超导电性的发现为室温超导体的实现注入了希望,同时对超导机理研究提出了新的挑战。此后,人们探索新型高温超导材料的目光更多的转向了含过渡元素的低维结构材料。最近发现的一系列Cr-基超导体A_2Cr_3As_3(A=K,Rb,Cs)因具有准一维晶格结构、电子强关联相互作用以及可能的自旋三重态超导配对而受到广泛关注。本论文主要探索并发现了一系列准一维Cr、Mo体系超导体,而且研究了物理压力和化学掺杂对其超导电性的影响。A_2Cr_3As_3具有准一维的六角晶格结构,在该结构中碱金属元素A占据两个不等效的晶体学位置,分别是3k位和1c位,并且二者的原子摩尔比为3:1。文献表明A_2Cr_3As_3超导体具有正化学压力效应。为了提高Cr-基超导体的T_c,我们用小离子半径的Na取代K_2Cr_3As_3中的K以施加正化学压力。我们用固...  (本文共132页) 本文目录 | 阅读全文>>

中国科学院大学(中国科学院物理研究所)
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新型准一维量子功能材料高压合成及物性研究

一维材料体系由于维度降低,其物理性质通常有别于二维和三维材料体系,展现出许多新颖的物理现象。本论文主要利用高温高压技术发现并制备了系列新型准一维三元硫族化合物,并对该系列化合物的晶体结构、电输运性质、磁学相关性质及热力学性质进行了系统研究,主要的研究内容包括以下几个方面:(1)热电材料在能源转化方面受到广泛关注,锡的硫族化合物成为热电领域的研究热点。利用高温高压条件,合成了Ba_9Sn_3Te_(15)单晶,通过单晶衍射技术对Ba_9Sn_3Te_(15)的晶体结构进行了详细分析,证明Ba_9Sn_3Te_(15)具有准一维晶体结构。通过系统掺杂,获得了Ba_9Sn_3(Te_(1-x)Se_x)_(15)(x=0–1)系列化合物,其带隙和Seebeck系数随着Se含量增大单调增大。理论计算结果显示Ba_9Sn_3Te_(15)和Ba_9Sn_3Se_(15)具有典型的一维导体电子能带结构。SnTe_6一维链很容易受到Umkla...  (本文共150页) 本文目录 | 阅读全文>>

哈尔滨工业大学
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准一维氮化硅纳米材料的制备与性能研究

准一维纳米材料因其独特的形貌和优异的性能,在多个领域具有广泛的应用前景,如复合材料增强体、纳米光电子器件及纳米复合材料等。本文针对准一维纳米材料微结构可控与高产率制备的发展趋势,以耐高温、抗氧化的宽禁带半导体准一维Si_3N_4纳米材料为主要研究对象,通过对原材料和制备方法的优选以及工艺参数的调控,实现了准一维Si_3N_4纳米材料的高效制备,开展了准一维Si_3N_4纳米材料性能表征,揭示了准一维Si_3N_4纳米材料性能与微结构之间的本质联系,阐明了准一维Si_3N_4纳米材料的生长机理,初步建立了准一维Si_3N_4纳米材料性能的调控方法,为拓展准一维Si_3N_4纳米材料的应用领域提供数据和理论支撑。基于文献调研与分析,分别以独立源和混合源为原料,通过制备方法的优选以及工艺参数的优化,实现了超长准一维Si_3N_4纳米材料的高效制备。相对于其他原料而言,分别以独立源石墨、硅和二氧化硅以及混合源聚碳硅烷为主要原料经一定工艺...  (本文共142页) 本文目录 | 阅读全文>>