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由低温退火轻掺杂控制a-Si:H膜的固相晶化成核

通过低温退火工艺以实现a-Si:H膜的局部n型轻掺杂,控制了固相晶化过程中的成核中心密度,获得了较大晶粒的良质多晶硅膜。有关测试结果表明:晶化过程是较均衡地沿(111),(220),(311)晶向进行,而按(111)晶向择优  (本文共7页) 阅读全文>>

《现代显示》2008年Z1期
现代显示

铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜

多晶硅薄膜在微电子和能源科学领域有着广泛的应用。本文介绍了利用铝诱导晶化非晶硅制备多晶硅...  (本文共5页) 阅读全文>>

《真空》2006年04期
真空

铝诱导非晶硅薄膜快速低温晶化研究

采用金属铝诱导晶化非晶硅薄膜的方法制备多晶硅薄膜。研究了不同的退火温度对a-S i薄膜晶化的影响,采用XRD,R am an,S...  (本文共3页) 阅读全文>>

权威出处: 《真空》2006年04期
《中国非金属矿工业导刊》2005年02期
中国非金属矿工业导刊

磷对高岭土微球原位晶化的影响

本文主要考察了磷对高岭土微球原位晶化的影响,结果表明:在高岭土微球原位晶化过程中,随...  (本文共2页) 阅读全文>>

《无机化学学报》2001年06期
无机化学学报

非平衡晶化控制水滑石晶粒尺寸

本文采用非平衡晶化法通过在晶化后期补加原料合成了一系列不同晶粒尺寸的...  (本文共5页) 阅读全文>>

《无机材料学报》1960年40期
无机材料学报

人造翡翠晶化区的研究

本文在1.1~5.5GPa压力、750~2050℃温度范围内通过对产物的XRD分析得到了以非晶为原料时,纯硬玉翡翠NaAlSi2O6和透辉石翡翠0.6NaAlSi2O6-0.4CaMgSi2O6的晶化区....  (本文共6页) 阅读全文>>