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C/BN_xC_(2(1-x))、BN/BN_xC_(2(1-x))和C/BN异

采用原子集团展开和平均键能相结合的方法.研究了宽带隙高温半导体、合金型应变居异质界面C/BNxC2(1-x)、BN/BNxC2(1-x)和生长在BNxC2(1-x)合金衬底上  (本文共5页) 阅读全文>>

《微电子技术》2001年03期
微电子技术

作毫米波开关的应变层PIN二极管

DaimlarChryslerResearchCenterandUmiversityofUlm首先报道了在G...  (本文共1页) 阅读全文>>

《物理学报》2000年08期
物理学报

平均键能方法在应变层异质结带阶研究中的应用

将平均键能方法推广应用于应变层异质结的带阶研究 .通过流体静压力应变和单轴应变对带阶参量Emv作用的仔细研究 ,发现平均带阶参量Emv,av=Em-Ev ,av在不同应变状态下基本上保持不变 ...  (本文共6页) 阅读全文>>

《物理》1991年02期
物理

应变层结构和新半导体器件

本文介绍了应变层结构的原理及其在半导体器件中的应用.由于轴应变使应变层结构的价带空穴表现出多样的特性,本...  (本文共4页) 阅读全文>>

权威出处: 《物理》1991年02期
《发光学报》2001年02期
发光学报

平均键能方法在应变层异质结带阶计算中的简化模型

将平均键能方法推广应用于应变层异质结的价带和导带阶研究。通过平均带阶参数形变势amv来研究带阶参数Emv随应变状态的变化关系 ,发现平均带阶参数Emv .av=Em-Ev .av在不同应变状态下基本上保持不变。因此 ,在应变层带阶参数...  (本文共5页) 阅读全文>>

《辽宁教育学院学报》1950年50期
辽宁教育学院学报

应变层超晶格晶体结构分析

本文分析了应变层超晶格晶体材料的结构特征,得到在平行于超晶格生...  (本文共3页) 阅读全文>>