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极化态n—p散射

n—p散射是研究核力的重要实验,它间接地证明了核力与电荷无关。本文着重探  (本文共7页) 阅读全文>>

《应用激光》1986年02期
应用激光

基于自旋反转跃迁的混频效应及其应用

本文介绍利用5.3μm CO激光观察在半导体Insb的受激自旋反转拉曼散射效应,基于此效...  (本文共6页) 阅读全文>>

《物理学报》2001年09期
物理学报

铁磁-d波超导结中的粗糙界面散射和自旋反转效应对隧道谱的影响

考虑到铁磁层中的自旋极化效应、以及界面的粗糙散射和自旋反转效应 ,利用推广了的Blonder Tinkham Klap wijk理论模型 ,计算铁磁 d波超导结中的自旋极化隧道谱 .研究表明 1)自...  (本文共4页) 阅读全文>>

《浙江师大学报(自然科学版)》2000年04期
浙江师大学报(自然科学版)

铁磁-铁磁绝缘层-超导结中的自旋反转和粗糙界面散射效应对隧道谱的影响

考虑到自旋反转和粗糙界面散射效应 ,利用推广的 Blonder-Tinkham-Klapwijk散射理论模型 ,计算铁磁 -铁磁绝缘...  (本文共5页) 阅读全文>>

《激光与红外》1980年12期
激光与红外

InSb中自旋反转受激喇曼散射效应

InSb中电子的自旋反转喇曼散射是获得红外波段连续可调谐激光以及研究InSb能带结构的一种手段。我们在~7K下,观察了以TEACO_2激光器为入射泵浦光、在n型InSb样品上产生的自旋反转受激喇曼散射光的输出...  (本文共1页) 阅读全文>>

西南大学
西南大学

1550 nm垂直腔面发射激光器自旋反转模型中关键参量数值的实验测定和理论研究

半导体激光器(Semiconductor Lasers,SLs)作为光通信领域最重要的光源,凭借其独特的优点而得到飞速的发展。垂直腔面发射半导体激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers,VCSELs)具有体积小、阈值低、高调制效率、单纵模输出等诸多优势,而受到广泛的关注。近年来,短波长VCSELs的制作工艺较为成熟,工作性能较为稳定,在近距离和中程距离光通信领域中被广泛使用;长波长VCSELs的制作工艺也日臻完善,尤其是1550 nm VCSELs处在零色散、低损耗窗口位置,在长距离、大容量干线光纤通信领域具有较大潜能和应用价值。故此,针对1550 nm VCSELs进行系统性理论和实验研究就具有非常重要的意义。在1550nm VCSELs的理论分析工作中,自旋反转模型(Spin-Flip Mode,SFM)是目前用于分析1550 nm VCSELs非线性动力学特性最常用的模型。在给...  (本文共57页) 本文目录 | 阅读全文>>