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La_3Al_(0.5)Ga_5Ta_(0.5)O_(14)单晶电弹常数的测量

用LCR电桥、干涉法和谐振法分别测量了La3Al0.5Ga0.5Ta0.5O14(简称LAGT)单晶的相对介电常数,压电应变常数和弹性柔顺常数,并和La3Ga5.5Ta0.5O14(LGT)作了比较。LAGT的介电常数1ε1=  (本文共3页) 阅读全文>>

《人工晶体学报》2000年S1期
人工晶体学报

SiC大单晶的生长

Silicon carbide (SiC) single crystal,which hasn't melting point at normal pressu r e and sublimates at temperature above 2000℃,is a wide bandgap semiconductor.Si lic on carbide has more than 200 kinds of polytype.Among these polytypes,3C SiC、6H SiC and 4H SiC are the most common ones,the band width of them are 2.4eV,3.0eV , an d 3.4eV,restpectively.For its high temperature tolerance and radiation resistanc e,sil...  (本文共1页) 阅读全文>>

《人工晶体学报》2000年S1期
人工晶体学报

KLN单晶的SHG特性

Tetragonal tungsten bronze structure potassium lithium niobate (KLN) crystals pr omise as a potentially useful material for nonlinear optical applications,especi ally,for blue laser radiation by second harmonic generation (SHG).We have grown KLN single crystals by TSSG method using different melt compositions and studied the properties of second harmonic generation (SHG).The crystals have the conten ts of Nb 2O 5...  (本文共1页) 阅读全文>>

《微电子技术》1999年06期
微电子技术

美国Xtal公司研制成SiC单晶

美国XtalTechnology公司首先研制成SIC单晶,该公司已经生产GaAS,InP和Ge单晶。美国XtalTechno...  (本文共3;页) 阅读全文>>

《天津科技大学学报》2006年02期
天津科技大学学报

甘氨酸γ-晶型的单晶培养及晶型和晶习分析

在甘氨酸的三种多晶型中,α-和γ-晶型是较稳定的,而β-晶型很难在空气中稳定存在。通过缓慢蒸发法可以得到α-晶型的单晶,而γ-晶型的单晶通过一般的单晶培养方法很难得到。通过单晶...  (本文共4页) 阅读全文>>

《硅酸盐学报》2017年04期
硅酸盐学报

光学浮区法生长掺铟氧化镓单晶及其性能

采用光学浮区法生长了尺寸f(7~9 mm)×(30~35 mm)的β-Ga_2O_3:In单晶。X射线衍射物相分析表明,β-Ga_2O_3:In单晶仍属于单斜晶系。研究了不同In掺杂量的β-Ga_2O_3...  (本文共5页) 阅读全文>>