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金属-氧化物-金属隧道结的光发射

报道通过改进制作工艺,将Al-Al2O3-Au隧道结的耐压增强到5.3V,发光外量子效率增强到8.2×10(-4)均高过迄今见到的关于该类结的最高耐压和最高效  (本文共5页) 阅读全文>>

《发光学报》1950年40期
发光学报

增强金属—氧化物—金属隧道结的光发射

本文报道通过改进制作工艺将A1-A12O3-Au隧道结的耐压增加到5.3V,发光外量子效率增加到8.2×1×10-4,...  (本文共6页) 阅读全文>>

《苏州科技大学学报(自然科学版)》2017年01期
苏州科技大学学报(自然科学版)

铁电隧道结界面效应与界面调控

纳米铁电容器结构称为铁电隧道结,可以利用铁电垒极化方向的不同而导致器件阻态差异作为记录信息的物理载体,电极和势垒之间的界面是必然存在,且会对器件性能...  (本文共6页) 阅读全文>>

《低温与超导》1975年02期
低温与超导

约瑟夫逊隧道结

在约瑟夫逊效应的所有应用中曾经使用过隧道结或其它形式的结。但是,有些应用则只能使用隧道结。例如,在形成隧道结的超导体表面电阻的温度和频率依赖关系的测量中,或要求特定磁场依赖性的应用中,以及直流Ⅰ—Ⅴ特性的磁滞观测等,则只能使用隧道结(这是相...  (本文共11页) 阅读全文>>

中国科学院大学(中国科学院物理研究所)
中国科学院大学(中国科学院物理研究所)

基于纳米环状隧道结的器件和n-Si中自旋输运的研究

随着信息技术革命的深入和大规模集成电路的发展进入瓶颈期,自旋电子学器件以其独特的电子自旋自由度、与现有半导体工艺的良好兼容性、低功耗、热稳定和较高的信噪比等优势,被越来越广泛地关注,被认为是最有可能打破摩尔定律限制的高新科技产业,如何在这些器件中调控自旋,也成为目前人们广泛研究的热点方向。本论文中,我们以“基于纳米环状磁性隧道的器件和n-Si半导体中自旋流输运的研究”作为研究课题,充分结合目前基于磁性隧道结的自旋电子学器件发展和磁性多层膜中自旋流的探测方面的研究,寻求和探索调控电子自旋的新途径。本论文主要分为三个部分:(1)基于核心结构为CoFeB/MgO/CoFeB的磁性多层膜,制备了百纳米量级的环形磁性隧道结,通过在零磁场下垂直通入直流电流,利用自旋阀中的自旋转移力矩效应,实现隧道结自由层磁矩的翻转,并以此作为纯电流调控的第二代磁性随机存取存储器的原型器件;并通过提高电流幅度,观察到自由层磁矩的随机回跳现象,以此提出基于纳米...  (本文共158页) 本文目录 | 阅读全文>>

青岛大学
青岛大学

铁电隧道结的电致阻变效应及其铁电层厚度对隧穿机制的影响

随着集成电路技术和二维材料加工工艺的飞速进步,人们已经将传统半导体器件的特征尺寸缩小到纳米量级,尤其以台积电等国际大厂为代表的产业界,已经开始大规模采用7 nm工艺并已实现晶圆的量产。然而,随着器件特征尺寸的进一步缩小,物理极限所带来的量子隧穿等非理想效应,却给产业界带来了不小的难题,特别是在存储器领域。寻找传统硅材料的替代品以适应更小器件尺寸、更高集成度、更稳定性能的要求,已成为业内共识。铁电材料作为一种广泛存在且种类丰富的潜在替代材料,由于其特有的电滞回线现象,越来越受到研究者们的关注。本文正是基于这个背景下开展了以BaTiO_3为铁电功能层、LaNiO_3和SrRuO_3为底电极的铁电隧道结的制备及性能表征研究。采用脉冲激光沉积技术制备出表面平整、界面清晰、成相良好的外延薄膜,不同功能层堆叠形成铁电隧道结器件,通过X射线衍射、原子力显微镜和压电力显微镜等各项表征和电学性能测试,获得了性能稳定,重复性良好的铁电隧道结器件,观...  (本文共72页) 本文目录 | 阅读全文>>

内蒙古大学
内蒙古大学

垂直磁各向异性隧道结中磁矩翻转机理的综合研究

随着信息技术的发展和人们对存储技术要求的不断提高,研发新型的存储器件就顺其自然地成为了当今科研的一个热点课题。如何制备出满足现代人们所需求的快速、高效、大容量、易携带的存储器,需要强大的理论作为支撑。上世纪末有研究人员在理论上预言自旋转移矩效应(STT),可以在电流驱动下实现信息存储,这就为后来的自旋转移矩磁性随机性存储器(STT-MRAM)的研发提供了理论上的支持。STT-MRAM的核心是磁性隧道结(MTJ),它是由钉扎的铁磁层/非铁磁层/自由的铁磁层构成,其中自由层磁矩的翻转特性可以直接反映出存储器的性能。本文主要通过理论建立模型,采用Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski(LLGS)方程数值计算模拟出磁性隧道结中自由层磁矩的进动和其翻转轨迹,在除了STT效应之外,还对其它影响磁矩进动的效应进行了讨论。基于隧道结的三层膜结构及其理论,并提出多层膜结构辅助磁矩的翻转,主要内容如下:1.介绍磁性存...  (本文共65页) 本文目录 | 阅读全文>>