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冷阴极及其应用

本文介绍了场致发射阴极,次级发射阴极,自  (本文共7页) 阅读全文>>

北京交通大学
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真空开关真空度在线监测研究

真空开关在电力系统和其他领域都获得了日益广泛的应用。真空开关的真空度是保证其操作性能的重要条件,实现真空开关真空度的在线监测是真空开关智能化的重要内容。但是目前提出的几种真空开关真空度在线监测技术还不能满足实际应用的需要。在真空测量技术中,冷阴极反磁控放电真空规的脉冲放电测量模式从理论上说虽然具有很多优点,但是因其测量压强的下限不易拓展而使其研究和应用受到限制,目前还没有见到有关的研究文献。本论文对反磁控冷阴极电离真空规的物理基础—高真空环境中的交叉电磁场放电的有关理论进行了研究,并根据气体放电的蒙特卡罗计算机模拟原理设计了在高真空条件下对这一放电现象在反磁控管结构中的计算机模拟算法,编制了模拟程序,对放电的一些基本过程进行了模拟研究。根据上述有关的研究结果设计了一种实用结构的二极型反磁控真空规和一种智能可调脉冲高压发生及测量装置。并研究了此种真空规的直流放电测量模式和脉冲放电测量模式的不同特点;脉冲操作模式下恒流放电及恒压放电...  (本文共101页) 本文目录 | 阅读全文>>

电子科技大学
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电泳法制备石墨烯冷阴极及其场发射特性研究

电泳法制备石墨烯冷阴极技术是当前最热门的冷阴极制备技术之一。石墨烯拥有良好的导电性、高的电子迁移率、高的长径比,是制备冷阴极的理想电子发射材料。电泳法以其低成本、装置简单、沉积厚度可控、适合大规模制备等优点在冷阴极制备技术上拥有很大的优势。研究电泳法制备石墨烯冷阴极的制备技术有利于石墨烯冷阴极在真空电子器件,特别是场发射平面显示器上的推广与应用。论文研究电泳法制备石墨烯冷阴极的场发射特性主要集中在降低阴极开启场和阈值场,提高阴极稳定性和寿命方面,使其能更好地应用在电子真空器件,特别是场发射平面显示器件中。为此,论文紧密围绕以下两方面展开:一方面,从电泳参数出发,通过对电泳参数对制备石墨烯的场发射特性影响的理论研究,结合实验,分析研究怎样在不同条件下利用电泳法制备出具有好的场发射特性的石墨烯冷阴极的方法。并重点关注不同的常用电泳硝酸盐对制备的石墨烯冷阴极场发射性能的影响。研究表明:利用Mg(NO3)2·6H2O制备的冷阴极的开启场...  (本文共79页) 本文目录 | 阅读全文>>

东南大学
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碳纳米管场致发射冷阴极的研究

碳纳米管具有优异的场发射性能,可以作为场致发射冷阴极。对碳纳米管冷阴极材料的研究具有很强的科学探索性和广阔的应用背景。本文主要研究了碳纳米管冷阴极的制备及其场致发射性能。对本文中制备得到的碳纳米管场发射冷阴极的场发射性能研究结果表明,碳纳米管场发射冷阴极具有良好的场发射性能,其场发射电流密度可达到6.5A/cm~2,是极有希望的具有较大发射电流密度的阴极材料。本文分别采用了热化学气相沉积法和丝网印刷法制备得到了碳纳米管场发射冷阴极,在超高真空室中使用二极结构测试其场发射性能。本文采用热化学气相沉积法制备得到了碳纳米管场发射冷阴极。我们在不同衬底(表面镀有金膜的Si片,金属钼圆柱体,金属钼片,铜片,不锈钢片)上以金属镍作为催化剂制备得到碳纳米管场致发射冷阴极阵列。实验中我们还采用了一些不同的催化剂分布。利用扫描电子显微镜(SEM),我们对样品表面进行了形貌分析,并研究了制备得到的碳纳米管场致发射冷阴极阵列的场发射特性。我们采用真空...  (本文共73页) 本文目录 | 阅读全文>>

电子科技大学
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碳纳米管冷阴极制备方法及特性的研究

碳纳米管(CNT)作为制备场发射冷阴极的理想材料,具有化学性质稳定、场发射电流密度大等优点,碳纳米管冷阴极有一个重要的用途就是可以用于高功率微波管的电子源。本文分别利用等离子体气相沉积法、丝网印刷法以及电泳沉积法这三种方法制备得到碳纳米管冷阴极样品,并利用场发射测试仪器测试每种碳纳米管冷阴极样品的场发射性能,并对场发射测试结果进行分析研究。本文利用等离子体气相沉积法(PECVD法)制备得到碳纳米管冷阴极样品。首先我们采用电泳沉积以及电子束蒸镀两种方法在衬底上镀覆铁催化剂颗粒层,然后利用扫描电子显微镜以及拉曼光谱对PECVD方法制备得到的碳纳米管冷阴极样品的表面形貌以及碳纳米管的缺陷程度进行表征。通过对比SEM照片发现采用电子束蒸镀法镀铁生长出的CNT的均匀性要远远优于电泳沉积法镀铁生长出的CNT。通过对比场发射测试结果发现碳纳米管的生长时间对其场发射性能也有着很大的影响。最终我们利用PECVD方法在碳纳米管的生长时间控制在20m...  (本文共62页) 本文目录 | 阅读全文>>

中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所)
中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所)

碳纳米管及相关材料场发射显示研究

阴极射线管(CRT)显示是最早的,最成熟的,也是性能价格比最高的信息显示技术,人们已广泛接受CRT的显示色彩和画质。但CRT存在体积庞大,笨重,高功耗等缺陷。本论文在回顾、分析了目前重要的平板显示技术研究进展的基础上,认为场发射显示是能够保留CRT显示质量,并使之平板化的重要的发射型平板显示技术,也是CRT产业进行产品更新换代的一种可能候选。针对场发射显示研究中的关键技术问题,本论文就大面积硅微尖阵列场发射冷阴极,籽晶诱导金刚石薄膜场发射,特别是印刷制备碳纳米管冷阴极发射显示器进行了深入细致的研究,取得的重要研究结果包括:设计了一种采用多重p-n结实现硅微尖场发射冷阴极行电极间电学隔离的结构,并获得5英寸硅微尖冷阴极阵列;发现通过对硅微尖进行尖锐化处理或金属Mo表面修饰可改善其场发射性能。并且Mo表面修饰的硅微尖场发射规律偏离场发射基本理论,认为是由于多种介面存在导致电子输运机制改变引起的。发现金刚石籽晶预沉积方法既可以有效地提...  (本文共120页) 本文目录 | 阅读全文>>