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透明导电CdIn_2O_4薄膜光学常数的计算

针对射频反应性溅射 Cd- In合金靶沉积的透明导电 CdIn2O4薄膜可见光区和近红外透射区透射和反射谱,分别采用包络  (本文共7页) 阅读全文>>

《真空》2004年03期
真空

退火处理对CdIn_2O_4薄膜光电特性的影响及温差电动势的研究

研究了直流磁控反应溅射制备三元化合物CdIn2O4薄膜(简称CIO膜)的光电性质和温差电动势,及其反应气体中氧浓...  (本文共3页) 阅读全文>>

权威出处: 《真空》2004年03期
《哈尔滨商业大学学报(自然科学版)》2010年03期
哈尔滨商业大学学报(自然科学版)

CdIn_2O_4纳米氧化物制备及氯气敏感特性分析

以In(NO3)3和Cd(NO3)2为原料,采用Sol-Gel法合成N型CdIn2O4半导体氧化物纳米材料,通过500~800℃退火处理得到4种温度参数的纳米氧化物材料粉体,按照陶瓷半导体气体传感器工艺制成厚...  (本文共4页) 阅读全文>>

《光学学报》2002年11期
光学学报

基片温度和退火对CdIn_2O_4薄膜光学性质和载流子浓度的影响

对射频反应性溅射Cd In合金靶制备的透明导电CdIn2 O4薄膜 ,研究了基片温度及沉积后在氩气流中退火对薄膜的透射、反射和吸收光谱 ,光学常数和载流子浓度的影响。结果表明 :提高基片温度减少了薄膜的载流子浓度...  (本文共5页) 阅读全文>>

兰州大学
兰州大学

透明导电薄膜CdIn_2O_4的研究和高速光电探测器频响的测量

(一)透明导电薄膜CdIn_2O_4薄膜光电特性的研究采用射频反应溅射Cd-In靶在玻璃衬底上制备CdIn_2O_4(CIO)薄膜。理论上阐述了CIO薄膜的导电机理,分析了热处理前后氧空位、掺杂点缺陷和富氧电子陷阱在影响膜的载流子浓度和电子散射中所起的重要作用。同时,分析了高浓度的点缺陷对CIO氧化物薄膜的能带结构产生的重要影响,这些影响主要体现在带尾的形成,Burstcin-Moss(B-M)漂移和带隙收缩。为了制备低电阻率、高透射率的大面积CIO薄膜,我们分别研究了溅射氧浓度和沉积衬底温度对CIO薄膜光电特性的影响。通过对薄膜的霍尔效应,Seebeck效应的测量,我们得到了薄膜的电学参数。通过对CIO薄膜的光谱进行研究,我们得到了薄膜在紫外、可见和红外区域的光学特性。大量的实验数据分析表明,CIO薄膜的带隙收缩效应对其光学带隙影响很大。为了获得准确的薄膜光学带隙,本文使用拟合法代替外推法确定薄膜的光学带隙。实验表明,当衬底温...  (本文共116页) 本文目录 | 阅读全文>>

重庆大学
重庆大学

CdIn_2O_4薄膜的制备及光电性能研究

CdIn2O4(CIO)薄膜是一种n型三元金属氧化物薄膜材料,由于其优异的光电性能和广泛的应用前景而倍受人们的青睐,成为当前透明导电氧化物(TCO)薄膜研究领域的热点之一。目前,商业上制备透明导电薄膜最常用的方法是直流反应磁控溅射法,但利用这种方法制备高质量的CIO薄膜的报道较少,缺乏低成本、大面积商业化制备技术是制约CIO薄膜走向实际应用的障碍之一。为此,本文在综述国内外CIO薄膜的研究发展概况基础上,采用实验研究与理论分析相结合的方法,对CIO薄膜的制备工艺和光电性能进行了较深入的研究。本文在JGP450型高真空磁控溅射台上,采用直流反应磁控溅射法制备了CIO薄膜,用AFM、XRD和XPS分析了样品的表面形貌、组织结构、化学态和元素价态。结果表明:制备的薄膜是多晶结构,表面粗糙度为1.6nm~2.4nm,晶粒尺寸约为13nm~35nm,晶界比较清晰;薄膜含有CIO相、In2O3相,部分样品还含有微量的CdO相;CIO薄膜包含...  (本文共69页) 本文目录 | 阅读全文>>