分享到:

Cu-Be打拿极的表面分析

采用一种特殊的化学剥离方法,把Cu-Be打拿极的表面薄膜剥离下来,用透射电镜直接观察到了BeO薄膜的微观结构,既直观、真实,又避免了大量的间接分析。观察结果表明,BeO薄膜是连续的,BeO晶粒细小、致密,呈颗粒状。但640℃与870℃激活生成的BeO薄膜有很大差异:前者B  (本文共7页) 阅读全文>>

《真空与低温》1985年01期
真空与低温

电子束作用下铜铍打拿极表面氧化铍分解的俄歇分析

铜铍合金为打拿极的 Allen 型电子倍增器,作为一个可检测微弱电子流与离子流的器件,已广泛应用于质谱仪、俄歇电子谱仪等装置中。...  (本文共5页) 阅读全文>>

长春理工大学
长春理工大学

微通道板打拿极二次电子发射特性研究

微通道板(micro channel plate,MCP)是一种二维的连续电子倍增器件,由很多个具备连续电子倍增特性的孔状结构依据某种特定的形状排列而成。硅微通道阵列因其具有特殊性结构而在很多方面诸如硅微通道板、微型化工仪器、微型生物芯片、微全分析仪等发挥其重要作用。硅微通道结构其有着十分广阔的应用前景及研究价值,吸引了越来越多科研人员的足够重视。本文根据MCP电子增益及二次电子发射的相关理论研究,对Si-MCP打拿极的结构进行了设计,提出了SiO2(发射层)/PolySi(导电层)/SiO2/Si的打拿极结构。采用热氧化工艺、LPCVD技术制备了打拿极的各层材料,得到具有一定性能的Si-MCP样品,对打拿极各层薄膜的参数及Si-MCP的电子增益进行了测试。在MCP打拿极制备及性能测试完成后,最后采取实验模拟方法对二次电子特性进行进一步深入研究。对以SiO2薄膜做打拿极的条件下依据二次电子发射机理,通过模拟实验,力求在理论上有新...  (本文共43页) 本文目录 | 阅读全文>>

长春理工大学
长春理工大学

先进技术微通道板连续打拿极的研究

先进技术微通道板(Advanced Technology Microchannel Plates,AT-MCP)是美国伽利略公司90年代中期提出的一种全新的微通道板制作技术。通道内壁连续打拿极的形成是AT-MCP制造的关键技术之一,AT-MCP最大的突破就是将基底材料和打拿极材料选择分开,同时也将微孔列阵与连续打拿极制作工艺分开,因此AT-MCP内壁连续打拿极的形成具有材料选择范围宽,工艺灵活性大等优点。据此,本论文主要研究了连续打拿极材料发射特性,同时探索了AT—MCP形成工艺。实验采用多路感应耦合等离子(ICP)刻蚀系统形成微孔列阵,利用LPVCD在深通道内壁形成多晶Si薄膜作为连续打拿极导电层,再利用热氧化工艺形成SiO_2二次电子发射倍增膜,制备出具有一定性能的AT-MCP样品。最后利用MCP特性测试系统测量MCP电子增益等特性参数。为了进一步研究次级发射材料发射特性,在制备连续打拿极时加入陪片,利用二次电子发射系数测试...  (本文共65页) 本文目录 | 阅读全文>>

长春理工大学
长春理工大学

硅微通道板打拿极技术研究

硅微通道板是90年代以后提出的一种全新的基于半导体工艺技术而形成的图像增强器件。与传统的玻璃微通道板相比,硅微通道板在技术上实现了重大突破——将衬底材料和打拿极材料相分开,同时也将微通道阵列和打拿极制备工艺分开。本文主要研究了连续打拿极的二次电子发射特性和打拿极的制备。在工艺上,提出了干法和湿法两种制备打拿极的方法。干法制备打拿极是采用LPCVD在硅微通道板内壁形成多晶硅薄膜作为连续打拿极的导电层,再利用热敏化工艺形成SiO_2二次电子发射倍增层,流通了硅微通道板的整个工艺;湿法制备打拿极是以乙酸镁为原料,采用溶胶凝胶法在硅微通板上制备MgO薄膜作为打拿极的导电发射层。  (本文共51页) 本文目录 | 阅读全文>>

《真空与低温》2011年02期
真空与低温

盒栅式倍增系统打拿极三维电场模拟计算

利用ANSYS软件对盒栅式倍增系统打拿极三维电场分布进行了建模,计算了打拿极附近电势分布情况...  (本文共6页) 阅读全文>>