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GaAs中子辐照效应研究

用正电子湮没寿命测量方法研究了1011~1013cm-2注量的5和10MeV快中子辐照和1015~1016cm-2注量的氟离子辐  (本文共1页) 阅读全文>>

《中国原子能科学研究院年报》1995年00期
中国原子能科学研究院年报

1.2 GaAs中子辐照效应研究

1.2GaAs中子辐照效应研究罗起,李安利,范志国,勾振辉,郑胜男,王春瑞,朱升云采用正电子湮没和时间...  (本文共2页) 阅读全文>>

西安电子科技大学
西安电子科技大学

GaN基半导体材料与HEMT器件辐照效应研究

空间技术的不断发展,对电子器件的可靠性提出了更高的要求。AlGaN/GaNHEMT器件在高频、大功率、高温和高压应用方面具有超强的优势,结合GaN材料出色的抗辐照特性,该器件在卫星、太空探测、核反应堆等辐射环境中有很大的应用前景。虽然理论和已有的部分实验结果已经表明了GaN材料具有出色的抗辐照特性,但是实际情况下,由于异质外延生长的GaN材料总是存在高密度的缺陷,而且GaN HEMT器件采用了较为复杂的GaN异质结材料结构,这类异质结材料特性对表面和界面非常敏感,所有这些情况都会使得GaN基材料和HEMT器件抗辐照特性受到很大的影响和挑战。本文在此背景下,主要是从实验和理论两个方面,对GaN基半导体材料和AlGaN/GaN HEMT器件的辐照效应进行了系统的研究。通过深入分析辐照效应的退化规律,揭示了物理损伤机制,并且建立相应的数学模型,为开展器件的抗辐射加固奠定理论基础。主要研究工作和研究结果如下:1、首先,开展了AlGaN/...  (本文共137页) 本文目录 | 阅读全文>>

《原子能科学技术》2021年01期
原子能科学技术

核材料中子辐照损伤的团簇动力学模拟综述

核材料中子辐照损伤是影响核能装置安全性和稳定性的关键问题之一。由于难以开展大量的中子辐照实验来评估核材料的损伤机理,因此相关理论模拟至关重要。介观尺度...  (本文共11页) 阅读全文>>

《材料导报》2011年S2期
材料导报

几种典型材料中子辐照损伤模拟计算

基于Lindhard-Robinson模型,利用NPRIM和NJOY程序,模拟计算了4种典型辐照场景下,T...  (本文共4页) 阅读全文>>

《低温物理学报》1940年50期
低温物理学报

高温超导体的中子辐照效应

本文从核物理的角度分别探索了快中子和热中子对高Tc超导体(HTSC)...  (本文共7页) 阅读全文>>

《中国辐射卫生》1992年03期
中国辐射卫生

经中子辐照育种的动物放射性分析

近20年来,我国开展辐照食品保鲜、辐照育种越来越广泛。辐照源大多是~(137)Cs或~(60)C。最近,某单位利用慢中子辐照动物卵,使动物品种发生了有利于人类的变异...  (本文共1页) 阅读全文>>